退火氧化设备制造技术

本发明专利技术涉及一种退火氧化设备，该设备包括炉体、传送装置、进气装置、加热装置、冷却装置、保温层和控制装置。炉体一端设有进料口，另一端设有出料口，所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区，所述冷却区靠近所述出料口；进气装置位于炉体内部并与炉体连通，加热装置和冷却装置均位于炉体外部，控制装置分别与传送装置、加热装置、进气装置和冷却装置连接。硅片经进料口进入炉体，经传送装置自进料口向出料口运动，硅片在炉体内的运动过程中，进气装置不断向炉体内输送氧气，控制装置通过控制加热装置、冷却装置以及传送装置进而调节炉体内的温度和硅片的传送速度，从而完成硅片的退火氧化工艺。硅片在从炉体中传送并输出的同时完成了硅片的退火氧化，减少了操作步骤，节约了生产时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制备领域，特别是涉及退火氧化设备。
技术介绍
目前，高效、低成本为晶硅太阳电池发展的主要趋势。其中，离子注入技术、表面SiO2/SiNx叠层膜钝化技术广泛地应用在高效电池的制备工艺中。离子注入技术是一种把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方法。简单地说，离子注入的过程，就是在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在所选择的(即被注入的)区域形成一个具有特殊性质的表面层(注入层)。在离子注入技术后续的过程中需要增加退火工艺以激活硅片内的掺杂源，使其从间隙式掺杂形成有效的替位式掺杂，同时高温通入氧气，在硅片表面形成一层氧化硅薄膜，达到良好的表面钝化效果。一般地，离子注入技术的退火工艺是在离子注入后进行特定的湿法化学处理，甩干后放入管式设备中进行退火氧化处理，管式设备需经过上料、进管、升温、氧化、降温、退管、下料等流程，步骤较多，生产时间长。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可以节约生产时间的退火氧化设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种退火氧化设备，其特征在于，包括：炉体，一端设有进料口，另一端设有出料口，所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区，所述冷却区靠近所述出料口；传送装置，位于所述炉体内部，自所述进料口向所述出料口延伸；进气装置，位于所述炉体内部并与所述炉体连通；加热装置，位于所述炉体外部，用于升高所述加热区内的温度；冷却装置，位于所述炉体外部，用于控制所述冷却区内的降温速度；保温层，包覆所述炉体的外壁，并位于所述加热装置和所述冷却装置的外部；以及控制装置，分别与所述传送装置、所述加热装置、所述进气装置和所述冷却装置连接。

【技术特征摘要】
1.一种退火氧化设备，其特征在于，包括：
炉体，一端设有进料口，另一端设有出料口，所述炉体包括相互连通的加
热区和冷却区，所述冷却区靠近所述出料口；
传送装置，位于所述炉体内部，自所述进料口向所述出料口延伸；
进气装置，位于所述炉体内部并与所述炉体连通；
加热装置，位于所述炉体外部，用于升高所述加热区内的温度；
冷却装置，位于所述炉体外部，用于控制所述冷却区内的降温速度；
保温层，包覆所述炉体的外壁，并位于所述加热装置和所述冷却装置的外
部；以及
控制装置，分别与所述传送装置、所述加热装置、所述进气装置和所述冷
却装置连接。
2.根据权利要求1所述的退火氧化设备，其特征在于，所述进料口处设有
进料挡板，所述出料口处设有出料挡板，所述进料挡板和所述出料挡板均与所
述炉体连接。
3.根据权利要求1所述的退火氧化设备，其特征在于，还设有降温装置，
所述降温装...

【专利技术属性】
技术研发人员：张松，刘超，刘成法，徐大超，王鹏磊，季海晨，高云峰，
申请(专利权)人：上海大族新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31