一种芯片防静电封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种芯片防静电封装结构，在芯片本体外部从内到外依次设置真空层、陶瓷层和金属层，芯片接脚被陶瓷层包裹，金属层设置接地脚。由于芯片本体外部设置真空层、陶瓷层和金属层的多层封装防护结构，可以保护芯片本体免受外界电磁及静电的干扰。芯片接脚被陶瓷层包裹，可以避免和金属层接触，不影响芯片的正常性能。在金属层上设置的接地脚可以将金属层表面积累的静电导出释放。本实用新型专利技术设计巧妙，通过简单的多层封装结构对芯片采取防静电措施，生产成本低，安全可靠，在不影响芯片正常性能的前提下，大大提高了芯片的防静电能力。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种芯片防静电封装结构，其特征是：在芯片本体（1）外部从内到外依次设置真空层（2）、陶瓷层（3）和金属层（4），芯片接脚（5）被陶瓷层（3）包裹，金属层（4）上设置接地脚（6）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘新，王艳超，刘新宇，赵鼎，纪磊，王宇，弓建荣，王银鑫，孟颖，郭世星，郭世龙，
申请(专利权)人：刘新，
类型：实用新型
国别省市：