静电保护器制造技术

本实用新型专利技术涉及静电保护器，包括绝缘的基板、一对间隔设置在基板的上表面上的电极、能够在高电压下呈导通状态并能够在低电压下呈绝缘状态的多晶纳米压敏材料层，每个电极均具有沿基板的长度方向延伸的耦合电极部，该一对电极的相平行的耦合电极部具有沿基板的长度方向延伸并且相正对的侧面，该相正对的侧面之间形成宽度10-50µm的缝隙，多晶纳米压敏材料层填充在一对电极的耦合电极部之间的缝隙中。缝隙的宽度只有10到50个微米，能够实现较低电压的触发保护，使得对电路的保护范围很大；而且缝隙的长度沿着基板的长度方向延伸，可接近器件的总长度减去端头的宽度，这样可充分利用器件的长度来降低缝隙在释放静电时的电流密度，延长电极的放电寿命，避免电流密度过大烧蚀电极使得缝隙变宽触发电压上升。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及对静电产生的过电压保护的电路保护元件---静电保护器，还涉及该。
技术介绍
静电位差是因为两个不良导体的摩擦，使电子从ー个不良导体向另ー不良导体迁移而产生，其电压可达数千伏。当所产生的静电对电压敏感的电子元器件放电时，可导致电子元器件的损坏。毎年因为静电而损坏的电子元器件很多，IEC为此专门制定了IEC61000-4-2的国际标准，来规定对静电放电及其防护等级的测试。所规定的接触放电电压等级有2，4，6，SkV四个等级，峰值电流达30A，电流跃升的时间为0.7_lns。本技术的静电保护器件，是为了满足IEC61000-4-2所规定的防护要求而开发的。静电放电保护器有多种类型，其中ー种是通过在两个很接近的电极间填充高分子的压敏材料来实现，该高分子的压敏材料的阻值随电压的变化而变化。当静电保护器中与输入端连接的一个电极与高压静电源接触，从而与另ー接地的电极间形成高电位差时，高分子压敏材料从高电阻态转变为低电阻态，将静电能量导入地，从而保护了与输入端相连接的其他元器件。有众多的专利展示了这样的静电放电保护器件，其不同的地方只是电极形状、支撑和密封结构，及材料的制作。美国专利5，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电保护器，其特征在于：包括绝缘的基板，该基板的长度大于宽度；一对间隔设置在所述基板的上表面上的电极，每个所述电极均具有沿所述基板的长度方向延伸的耦合电极部，一对所述电极的耦合电极部相平行设置，并沿着所述基板的宽度方向间隔排列，该一对电极的耦合电极部具有沿所述基板的长度方向延伸并且相正对的侧面，该相正对的侧面之间形成宽度10‑50µm的缝隙；能够在高电压下呈导通状态并能够在低电压下呈绝缘状态的多晶纳米压敏材料层，该多晶纳米压敏材料层填充在所述一对电极的耦合电极部之间的所述缝隙中。

【技术特征摘要】
1.ー种静电保护器，其特征在于:包括 绝缘的基板，该基板的长度大于宽度； ー对间隔设置在所述基板的上表面上的电极，每个所述电极均具有沿所述基板的长度方向延伸的耦合电极部，一对所述电极的耦合电极部相平行设置，并沿着所述基板的宽度方向间隔排列，该ー对电极的I禹合电极部具有沿所述基板的长度方向延伸并且相正对的侧面，该相正对的侧面之间形成宽度10-50Mffl的缝隙； 能够在高电压下呈导通状态并能够在低电压下呈绝缘状态的多晶纳米压敏材料层，该多晶纳米压敏材料层填充在所述ー对电极的耦合电极部之间的所述缝隙中。2.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于:所述缝隙的宽度为10_20Mffl。3.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于:所述静电保护器还包括高分子覆盖层，该高分子覆盖层覆盖在所述ー对电极的耦合电极部以及所述多晶纳米压敏材料层上，该高分子覆盖层为含有纳米级的链状碳黑或石墨的环氧树脂层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向明，汪立无，吴春冬，
申请(专利权)人：AEM科技苏州股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32