【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对静电产生的过电压保护的电路保护元件一静电保护器，还涉及该静电保护器的制作方法。
技术介绍
静电位差是因为两个不良导体的摩擦，使电子从一个不良导体向另一不良导体迁移而产生，其电压可达数千伏。当所产生的静电对电压敏感的电子元器件放电时，可导致电子元器件的损坏。每年因为静电而损坏的电子元器件很多，IEC为此专门制定了IEC61000-4-2的国际标准，来规定对静电放电及其防护等级的测试。所规定的接触放电电压等级有2，4，6，SkV四个等级，峰值电流达30A，电流跃升的时间为O. 7_lns。本专利技术的静电保护器件，是为了满足IEC61000-4-2所规定的防护要求而开发的。静电放电保护器有多种类型，其中一种是通过在两个很接近的电极间填充高分子的压敏材料来实现，该高分子的压敏材料的阻值随电压的变化而变化。当静电保护器中与输入端连接的一个电极与高压静电源接触，从而与另一接地的电极间形成高电位差时，高分子压敏材料从高电阻态转变为低电阻态，将静电能量导入地，从而保护了与输入端相连接的其他元器件。有众多的专利展示了这样的静电放电保护器件，其不同的地方只是电极形...
【技术保护点】
一种静电保护器，其特征在于：包括绝缘的基板，该基板的长度大于宽度；一对间隔设置在所述基板的上表面上的电极，每个所述电极均具有沿所述基板的长度方向延伸的偶合电极部，一对所述电极的偶合电极部相平行设置，并沿着所述基板的宽度方向间隔排列，该一对电极的偶合电极部具有沿所述基板的长度方向延伸并且相正对的侧面，该相正对的侧面之间形成宽度10?50um的缝隙；能够在高电压下呈导通状态并能够在低电压下呈绝缘状态的多晶纳米压敏材料层，该多晶纳米压敏材料层填充在所述一对电极的偶合电极部之间的所述缝隙中；形成所述多晶纳米压敏材料层的多晶纳米压敏材料是由硅橡胶、直径2?5um的金属粒子、包裹在所述...
【技术特征摘要】
1.一种静电保护器，其特征在于包括 绝缘的基板，该基板的长度大于宽度； 一对间隔设置在所述基板的上表面上的电极，每个所述电极均具有沿所述基板的长度方向延伸的偶合电极部，一对所述电极的偶合电极部相平行设置，并沿着所述基板的宽度方向间隔排列，该一对电极的偶合电极部具有沿所述基板的长度方向延伸并且相正对的侧面，该相正对的侧面之间形成宽度10-50um的缝隙； 能够在高电压下呈导通状态并能够在低电压下呈绝缘状态的多晶纳米压敏材料层，该多晶纳米压敏材料层填充在所述一对电极的偶合电极部之间的所述缝隙中； 形成所述多晶纳米压敏材料层的多晶纳米压敏材料是由硅橡胶、直径2-5um的金属粒子、包裹在所述金属粒子表面的20-400nm的多晶纳米半导体粒子混合而成， 所述多晶纳米半导体粒子是采用氧化镍12-33% (重量百分比)、锡酸钙8-29%、钛酸锶7-35%、氧化硼O. 3-5%以及氧化铋O. 2-4%，经过两次机械化学法并配合550_900°C高温焙烧合成的，所述多晶纳米半导体粒子能够在高电压下呈导通状态并在低电压下呈绝缘状态。2.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于在合成所述多晶纳米半导体粒子时，首先对原材料氧化镍、锡酸钙、钛酸锶、氧化硼以及氧化铋进行100-300rpm高速离心球磨，使各材料的晶粒融合，然后通过真空蒸发造粒，接着再通过550-900°C高温热处理，使各材料进一步融合，接着再进行100-300rpm高速离心球磨,然后再通过真空蒸发造粒，550-90(TC高温热处理，最后研磨成粉，真空干燥即可。3.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于所述缝隙的宽度为10-20um。4.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于所述静电保护器还包括高分子覆盖层，该高分子覆盖层覆盖在所述一对电极的偶合电极部以及所述多晶纳米压敏材料层上，该高分子覆盖层为含有纳米级的链状碳黑或石墨的环氧树脂层，所述纳米级的链状碳黑或石墨的重量百分比含量为1_15%，该高分子覆盖层通过所述一对电极的偶合电极部的上表面形成电偶合。5.根据权利要求1所述的静电保护器，其特征在于所述每个电极均具有端电极部，所述一对电极的端电极部分别设置在所述基板上表面的两端头上，所述偶合电极部从对应一端的所述端电极部上伸出，朝向另一端的端电极部延伸，并与该另一端的端电极部之间有间隔空间。6.根据权利要求5所述的静电保护器，其特征在于在所述每个电极上，所述端电极部的宽度均宽于所述偶合电极部的宽度。7.根据权利要求5所述的静电保护器，其特征在于在所述每个电极上，所述偶合电极部、所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李向明，汪立无，吴春冬，
申请(专利权)人：AEM科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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