【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种静电保护器,尤其涉及一种双排直插式场效应元器件的静电保护器。
技术介绍
场效应元器件是金属ー氧化物半导体场效应集成电路简称,可以分为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)、PMOS (P-Channel Metal Oxide Semiconductor, P 沟道金属氧化物半导体)、NMOS (N-Channel Metal OxideSemiconductonN沟道金属氧化物半导体)等多种结构形式。因其具有功耗低、工作电压范围宽、抗干扰能力强、逻辑摆幅大、输入阻抗高、输出能力强、成本低等一系列特点,广泛应用于空间电子设备、军民电子产品及エ业控制设备中,使用量之大仅次于普通集成电路。由于其具有较高输入阻抗,使该类器件在未接入电子线路前,感应电场、摩擦等产生的静电,场效应元器件的静电很难得以释放,造成其内电路的击穿,直接影响了场效应元器件的使用率。因而场效应元器件对于焊接工具、包装及使用环境要求都较为苛刻。如现有的焊接工具处理场效应元器件时很多都要进行良好接地,导致场效应元器件使用成本高,不方便。场效应元器件的包装必须使用塑料包装。尽管这样,但还是不能彻底杜绝场效应元器件发生击穿的可能,使其使用率降低,且使用成本较高。双排直插式封装(简称DIP封装,Dual Inline-pin Package),也叫双列直插式封装或双入线封装,绝大多数中小规模集成电路或元器件均采用这种封装形式,场效应元器件也多采用DIP封装。针对DIP封装的场效应元器件,由于静电导致元器件失效尤 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1. 一种双排直插式兀器件静电保护器,包括壳体(3),壳体(3)设置有凹槽(4),本体(O的宽度大于凹槽(4)宽度,且引线脚(2)的长度小于凹槽(...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨镇,
申请(专利权)人:铜陵浩岩节能科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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