半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，包括以下步骤：制作半导体器件柱状凸点单体及再布线铜板，将半导体器件柱状凸点单体倒扣在再布线铜板上，然后回流；半导体器件柱状凸点单体的制作方法：在半导体芯片上形成电极；在半导体芯片和电极上覆盖钝化层；在钝化层上形成一层聚合物；再有选择的形成绝缘中空柱状件；在表面形成金属层；再形成光刻胶和开口；在绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，形成第二金属柱；去除光刻胶和金属层；切割成单体。本发明专利技术制备的半导体器件扇出倒装芯片封装结构，能够缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起电极断裂，导致半导体器件失效的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：制作半导体器件柱状凸点单体及再布线铜板，将所述半导体器件柱状凸点单体倒装在再布线铜板上，然后回流实施树脂填充；所述半导体器件柱状凸点单体的制作方法：（1）在半导体芯片上形成电极；（2）在半导体芯片和电极上选择性的覆盖钝化层；（3）在钝化层上形成一层聚合物；（4）在钝化层上再有选择的形成绝缘中空柱状件；（5）在绝缘中空柱状件表面、电极表面以及半导体芯片表面形成金属层；（6）在金属层上形成光刻胶；（7）在光刻胶上通过光刻形成开口；（8）在绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，在光刻胶开口形成第二金属柱；（9）去除绝缘中空柱状件外围的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施建根，王小江，顾健，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：