一种制造高介电复合薄膜的方法技术

技术编号:9193310 阅读:111 留言:0更新日期:2013-09-25 22:37
本发明专利技术实施例公开了一种制造高介电复合薄膜的方法,包括:将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合;将混合材料粉末溶于有机溶剂中;将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡;将有机混合溶液在基板上流延刮膜形成平板膜;加热平板膜使有机溶剂挥发,获得聚偏氟乙烯-钛酸钡-钛酸锶复合薄膜。通过本发明专利技术的实施例中的方法,可将纳米粒径的钛酸锶粒子填充入微米粒径的钛酸钡粒子之间的空隙之中,可以使钛酸钡粒子的堆积更加的紧密,从而可以较大的提高获得的复合薄膜的介电常数并降低损耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造高介电复合薄膜的方法,其特征在于,包括:将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合,获得混合材料粉末;将所述混合材料粉末溶于有机溶剂中,获得有机混合溶液;将所述有机混合溶液在室温下真空静置脱泡;将所述有机混合溶液在基板上流延刮膜,获得平板膜;加热所述平板膜使所述有机溶剂从所述平板膜中挥发,获得聚偏氟乙烯?钛酸钡?钛酸锶复合薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐建华张辉杨文耀李金龙张鲁宁杨亚杰
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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