一种新型薄膜混合集成电路成膜基片制造技术

技术编号:9186992 阅读:112 留言:0更新日期:2013-09-20 06:10
一种新型薄膜混合集成电路产品的薄膜成膜基片,其特征是:在衬底的同一平面上集成了多个方阻薄膜电阻和互联导体,这种结构的成膜基片可以进一步提高薄膜混合集成电路电阻的集成度,缩小产品体积,尤其能适合于电路复杂,电路中电阻元件数量多阻值跨度大的电子产品。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜混合集成电路产品的薄膜成膜基片,其特征是:其结构为在衬底的同一平面上集成了多个方阻的薄膜电阻和互联导带膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:北京飞宇微电子有限责任公司
类型:实用新型
国别省市:

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