发光装置晶片级封装制造方法及图纸

一种用以支撑LED结构的生长的基板，被用以支撑在LED结构上的超结构的创建。优选地，该超结构创建为一系列层，其包含形成从LED结构至该超结构之顶部的导电路径的导电元件，以及提供发光装置的结构支撑。该结构随后经倒置，使得该超结构变为LED结构的载体基板，且薄化或移除原基板。使用促进电传导和绝缘以及热传导和消散的材料来创建该结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置晶片级封装
本专利技术涉及固态发光装置领域，且具体地，涉及一种晶片级封装中的发光装置及一种制造这种装置的方法。
技术介绍
发光装置（LED）且尤其是以大于约四分之一瓦操作的发光装置一般包含提供光的半导体元件及提供机械支撑、电连接、热消散、波长转换等等的一个或多个非半导体元件。随着固态LED的普及性及使用领域不断扩大，来自大量销售的潜在收益增加，制造商之间之销售竞争也增加。在这种环境中，每单位成本的均衡少量节省对收益性会有重大影响。因此，LED的制造商致力于降低材料成本及制造成本。图1图示包括半导体元件110及至少两个非半导体元件（陶瓷基板120及一对电极122）的传统中高功率LED。如图可见，在该实施例中，陶瓷基板120超过发光半导体结构110面积的两倍；额外面积主要用以促进经由电极122而至半导体结构110的外部连接。因此，基板120占装置的材料成本的相当大部分。另外，将半导体结构110放置在基板120上需要精确拾取及放置工艺，这会增加装置的制造成本。Ibbetson等人于2008年2月12日发表的USP7,329,905“CHIP-SCALEMETHODSFORPACKA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.01.24 US 61/435,3681.一种创建发光装置的方法，其包括：在基板上形成发光元件以及该发光元件的顶面上的至少第一和第二电极，在这些电极上形成第一绝缘层，且该绝缘层中的至少第一和第二开口用于分别接触该至少第一和第二电极，在该绝缘层上形成非可移除的绝缘壁，该绝缘壁经配置以提供该至少第一和第二开口之间的绝缘，以及用导电材料填充绝缘壁之间的空间的至少一部分，该导电材料延伸至该至少第一和第二开口中以接触该至少第一和第二电极，其中该绝缘壁为至少100微米高以提供该发光元件的永久结构支撑以消除对基板的需要。2.如权利要求1的方法，其包含移除该基板的一些或全部。3.如权利要求1的方法，其包含：在该导电材料上形成第二绝缘层，且至少另一开口用于接触该导电材料的至少一部分，以及形成至少一个导电接触，所述至少一个导电接触通过该至少另一开口而耦合至该导电材料的该至少一部分。4.如权利要求1的方法，其包含：在该导电材料的第一表面上形成第二绝缘层，该导电材料的第一表面与在该第一绝缘层上的第二表面相反，以及在该第二绝缘层的第一表面上形成至少一个热接触，该第二绝缘层的第一表面与在该导电材料的第一表面上的第二表面相反，该热接触与该导电材料电绝缘。5.如权利要求1的方法，其中该导电材料的至少一部分延伸至该发光装置的至少一个外部边缘。6.如权利要求1的方法，其中该绝缘壁为树脂壁。7.如权利要求1的方法，进一步包括形成复数个发光元件。8.如权利要求7的方法，其中形成该绝缘壁包含提供该复数个发光元件的电极之间的电绝缘。9.如权利要求1的方法，其中复数个发光装置形成于该基板上，且该方法包含使这些发光装置单粒化。10.如权利要求1的方法，其包含在与该第一绝缘层相反的方向上形成超出该发光元件的波长转换层。11.如权利要求1的方法，其包含形成超出该发光元件的透镜元件。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：DA斯泰格瓦德，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：
国别省市：