背照式CMOS影像传感器及其制造方法技术

技术编号:9144535 阅读:126 留言:0更新日期:2013-09-12 05:56
本发明专利技术提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法,其中,所述背照式CMOS影像传感器包括:半导体基底,所述半导体基底包括正面及背面;所述半导体基底的背面形成有多片滤光片;每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙,所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。在本发明专利技术提供的背照式CMOS影像传感器及其制造方法中,每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙,所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面,由此,通过所述金属遮蔽侧墙能够将入射光线限定在一定范围内,防止了影像传感器的串扰问题,进而提高了背照式CMOS影像传感器的质量及可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种背照式CMOS影像传感器,其特征在于,包括:半导体基底,所述半导体基底包括正面及背面;所述半导体基底的背面形成有多片滤光片;每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙,所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高喜峰费孝爱
申请(专利权)人:豪威科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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