【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在图像传感器的半导体层中形成沟槽的方法，所述方法包括：在晶片的所述半导体层上形成第一材料的第一层；在所述第一层的第一部分上形成第二材料的第二层；通过将所述晶片暴露于第一蚀刻剂而形成穿过所述第一层的第一开口，所述第一蚀刻剂蚀刻所述第一材料但不会实质上蚀刻所述第二材料；通过将所述晶片暴露于第二蚀刻剂而将所述第一开口延伸到所述半导体层中以形成第一沟槽；通过将所述晶片暴露于第三蚀刻剂而形成穿过所述第二层的第二开口，所述第三蚀刻剂不会实质上蚀刻所述半导体层；通过将所述晶片暴露于第四蚀刻剂而延伸所述第二开口，所述第四蚀刻剂蚀刻所述第一层但不会实质上蚀刻所述半导体层；以及通过将所述晶片暴露于第五蚀刻剂而延伸所述第一沟槽且在所述半导体层中在所述第二开口下方形成第二沟槽。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，毛杜立，戴幸志，霍华德·E·罗兹，
申请(专利权)人：全视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。