形成不同深度沟槽的集成电路制造方法技术

一种形成不同深度沟槽的集成电路制造方法，包括：在硅衬底的上面需要淀积硬掩模层；把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层区域打开；刻蚀以使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标；在硬掩模层上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶，在掺硅抗反射光刻胶上涂布光刻胶，对光刻胶进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶；去除光刻胶，去除硬掩模层上面的掺硅抗反射光刻胶；进行第二次沟槽刻蚀工艺，使深沟槽刻蚀的总深度达到工艺要求的深沟槽深度目标，把残留掺硅抗反射光刻胶去除；将衬底上的残留的硬掩模层去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，而集成进去的功能则变得越来越多，而如果不同功能的器件所需要的一些电性参数差别较大，就需要不同深度隔离沟槽进行器件隔离。目前，虽然有很多不同的制造工艺流程，但总体来讲就是针对不同深度的沟槽进行分次刻蚀；然而，不同深度、不同图形密集度的刻蚀图形在最终的形貌、深度、宽度等方面会有差异，而且随着集成电路工艺尺寸的降低，这些差异已经变得越来越重要。为了解决这些差异，集成电路制造工厂普遍采用的是使用不同的刻蚀工艺菜单和刻蚀设备来分开制造，这就大大增加了产能分配难度和生产成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种，包括:第一步骤:在衬底的上面需要淀积一层硬掩模层；第二步骤:在衬底和硬掩模层上进行第一次光刻，然后对硬掩模层进行刻蚀，把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层区域打开；第三步骤:利用硬掩模层对衬底进行第一次沟槽刻蚀工艺，使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标；第四步骤:在硬掩模层上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶，随后在掺硅抗反射光刻胶上涂布光刻胶，并对光刻胶进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；第五步骤:针对第二次光刻打开的需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域进行掺硅抗反射光刻胶的刻蚀，由此去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶；然后去除光刻胶，并且去除硬掩模层上面的掺硅抗反射光刻胶，只保留不处于需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内填充的掺硅抗反射光刻胶；第六步骤:进行第二次沟槽刻蚀工艺，使深沟槽刻蚀的总深度达到工艺要求的深沟槽深度目标，然后把不处于需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内填充的掺硅抗反射光刻胶去除；第七步骤:刻蚀去除硬掩模层，将衬底上的残留的硬掩模层去除。优选地，掺硅抗反射光刻胶的刻蚀速率与衬底的刻蚀速率相同。优选地，硬掩模层的厚度与浅沟槽刻蚀的深度目标之和大于深沟槽刻蚀的深度目标与浅沟槽刻蚀的深度目标之差。优选地，在第六步骤的第二次沟槽刻蚀工艺中，通过刻蚀时间进行刻蚀深度的控制。优选地，在第六步骤中，利用热氧处理和清洗工艺把二次沟槽刻蚀工艺后残留在不处于需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内填充的掺硅抗反射光刻胶去除。优选地，在第四步骤中，使用涂胶机涂布所述掺硅抗反射光刻胶。优选地，所述衬底是硅衬底。优选地，硬掩模层的材质为氮化硅。本专利技术提供了一种能够形成不同深度沟槽的集成电路制造工艺，其通过在第一次浅沟槽内使用掺硅抗反射光刻胶填充，作为第二次沟槽刻蚀的阻挡材料，并利用掺硅抗反射光刻胶和硅衬底的刻蚀速率相同的特性来平衡两次沟槽刻蚀工艺的刻蚀图形密度。通过本专利技术的方法可以解决目前两次沟槽刻蚀工艺由于刻蚀图形密度不同导致的刻蚀结果出现偏差的问题。【附图说明】结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的第一步骤。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的第二步骤。图3示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的第二步骤。图4示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的第四步骤。图5示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的第五步骤。图6示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的第六步骤。图7示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的第七步骤。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。【具体实施方式】为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。图1至图7示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的各个步骤。如图1至图7所示，根据本专利技术优选实施例的包括:第一步骤:在硅衬底100的上面需要淀积一层硬掩模层200 ;图1是开始时硅晶片需要具备的结构剖视图。此时在硅衬底的上面需要淀积一层硬掩模层，作用就是在后续的沟槽刻蚀工艺中作为刻蚀阻挡层，而且，硬掩模层200的材质优选为氮化硅(SIN)。第二步骤:在硅衬底100和硬掩模层200上进行第一次光刻，然后对硬掩模层200进行刻蚀，把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层200区域打开；第三步骤:利用硬掩模层200对硅衬底100进行第一次沟槽刻蚀工艺，使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标L1;第四步骤:在硬掩模层200上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶300，随后在掺硅抗反射光刻胶300上涂布光刻胶400，并对光刻胶400进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；第五步骤:针对第二次光刻打开的需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域进行掺硅抗反射光刻胶300的刻蚀，由此去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶300 ;然后去除光刻胶400，并且去除硬掩模层200上面的掺硅抗反射光当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成不同深度沟槽的集成电路制造方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底的上面需要淀积一层硬掩模层；第二步骤：在衬底和硬掩模层上进行第一次光刻，然后对硬掩模层进行刻蚀，把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层区域打开；第三步骤：利用硬掩模层对衬底进行第一次沟槽刻蚀工艺，使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标；第四步骤：在硬掩模层上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶，随后在掺硅抗反射光刻胶上涂布光刻胶，并对光刻胶进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；第五步骤：针对第二次光刻打开的需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域进行掺硅抗反射光刻胶的刻蚀，由此去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶；然后去除光刻胶，并且去除硬掩模层上面的掺硅抗反射光刻胶，只保留不处于需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内填充的掺硅抗反射光刻胶；第六步骤：进行第二次沟槽刻蚀工艺，使深沟槽刻蚀的总深度达到工艺要求的深沟槽深度目标，然后把不处于需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内填充的掺硅抗反射光刻胶去除；第七步骤：刻蚀去除硬掩模层，将衬底上的残留的硬掩模层去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马兰涛，朱骏，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31