【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种免底涂工艺,其特征在于:包括以下步骤:(1)对镀件表面进行高压离子清洗,清洗时间≤10s;(2)对清洗后的镀件表面镀基膜,镀基膜时间为60s,并镀上有机硅等离子重合SiOX;(3)在真空室内对涂有基膜的镀件进行蒸发镀膜,真空度为3×10?2Pa;(4)在炉内对镀膜后的镀件附上保护膜,附保护膜时间为200s。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭艳平,
申请(专利权)人:中山天誉真空科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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