【技术实现步骤摘要】
本技术涉及离子束材料表面改性
，特别涉及一种新型离子束复合处理系统。
技术介绍
常用的表面改性技术包括离子注入技术和磁控溅射技术。离子注入技术虽然能够获得较好的注入效果，但是注入层很薄，为了克服改性薄层的缺点，也侧重于提高注入能量，常规的I2和PI3注入法能量最多为IOOkev以上，由于注入层薄，设备十分昂贵，X射线防护复杂，所以离子注入法的使用受到限制。磁控溅射技术可以制备具有各种性能的薄膜，如各种硬质膜、超硬膜，以及具有各种光学特性的薄膜。但磁控溅射技术存在附着力差、结合力不强的缺点。因此，迫切需要一种新型的离子束复合处理系统，以克服离子注入技术和磁控溅射技术所存在的缺陷。
技术实现思路
为此，本技术提出一种新型离子束复合处理系统，可充分地消除由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或多个问题。本技术另外的优点、目的和特性，一部分将在下面的说明书中得到阐明，而另一部分对于本领域的普通技术人员通过对下面的说明的考察将是明显的或从本技术的实施中学到。通过在文字的说明书和权利要求书及附图中特别地指出的结构可实现和获得本技术目的和优点。本技术提供了一种离 子束复合处理系统，...
【技术保护点】
一种离子束复合处理系统，其特征在于，所述离子束复合处理系统包括：真空室、混合离子束注入装置、磁控溅射靶和离子溅射源；其中，所述混合离子束注入装置位于所述真空室的上方，所述真空室的内部设有工件台，所述工件台位于所述混合离子束注入装置的下方，工件位于所述工件台上；所述磁控溅射靶位于所述混合离子束注入装置的右下侧，所述离子溅射源位于所述磁控溅射靶的右下侧；所述混合离子束注入装置由放电室和离子束线源引出系统组成，所述放电室内设有多个热电子发射器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周宏宇，曾永远，谢昭觉，
申请(专利权)人：杭州五源科技实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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