【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于从工件切割多个切片的设备和方法,尤其是利用其中变换锯线运行方向的线精研切割法从晶体切割半导体晶片。
技术介绍
半导体晶片是由半导体材料例如元素半导体(硅、锗)、化合物半导体(例如由周期表第III主族元素如铝、镓或铟与周期表第V主族元素如氮、磷或砷组成)或其化合物(例如SihGep(KKl)组成的切片。其被要求尤其是作为电子元件的基材,并且在平坦度、清洁度和缺陷缺乏度方面必须满足高要求。对于其他应用,要求由其他材料组成的平面切片,例如作为用于制造存储磁盘的基材的玻璃切片或者作为用于制造光电元件的基底的由蓝宝石组成的切片。该由半导体材料或其他材料组成的切片是从由各种材料组成的棒材切割成的。为了切割切片,尤其是考虑去除碎屑的加工方法,例如精研切割。去除碎屑或修琢应当根据DIN8580理解为机械加工方法,其中通过以碎屑的形式去除多余的材料而将材料加工成为所期望的形状。在此,碎屑是指从工件分离的微粒。精研根据DIN8589是使用松散地分散在液体或膏状物中的颗粒(精研悬浮液,浆料)作为磨料进行修琢,该磨料在通常形成形状的相反件(精研工具)上以单个颗粒的尽可 ...
【技术保护点】
用于从工件同时切割多个切片的设备,其包括锯线、至少两个水平且彼此平行排列并且以可绕其各自的轴旋转的方式安装的具有凹槽的圆柱形锯线引导滚筒以及进给装置,其中锯线在凹槽中围绕锯线引导滚筒加以引导,从而在锯线引导滚筒之间存在由多个彼此平行且在一个平面内运行的锯线段组成的水平排栅,此外还包括位于锯线引导滚筒上方用于将磨料喷射在锯线段上的第一喷嘴以及位于排栅下方平行于锯线引导滚筒的轴的用于将冷却剂从侧面及从下方喷射到工件的切割间隙中的第二喷嘴。
【技术特征摘要】
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