金属化陶瓷通孔基板及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
金属化陶瓷通孔基板及其制造方法
本专利技术涉及金属化陶瓷通孔基板及其制造方法。更具体地涉及可适合用于安装LED等半导体元件的、特别是用于安装放热的高输出功率LED等半导体元件的金属化陶瓷通孔基板等。
技术介绍
用于安装半导体元件的陶瓷基板在陶瓷基板表面形成有用于与该半导体元件的电极连接的金属化图案。另外，例如，以多层基板或者支架形式使用该陶瓷基板的情况下，在陶瓷基板上形成用于实现基板上下导通的导电性通孔（以下，有时将具有导电性通孔和金属化图案的陶瓷基板称为“金属化陶瓷通孔基板”。）。作为金属化陶瓷通孔基板的制造方法，已知有共烧结法（co-firingmethod，同时烧成法）和后烧结法（post-firingmethod，逐次烧成法）。共烧结法是指下述方法：在被称为生坯片的未烧成的陶瓷基板前体上形成金属糊剂层，并将其烧成；或者，在该生坯片上形成的贯通孔中填充金属糊剂，从而制作金属化陶瓷通孔基板前体，并将其烧成。共烧结法中生坯片和金属糊剂的烧成是同时进行的。后烧结法是指下述方法：在烧成生坯片而得到的烧结体基板上形成金属糊剂层，并将其烧成；或者，在烧结体基板上形成的贯...
【技术保护点】
一种金属化陶瓷通孔基板，其是陶瓷烧结体基板中形成有导电性通孔的金属化陶瓷通孔基板，该金属化陶瓷通孔基板具有：在所述陶瓷烧结体基板的贯通孔中密填充导电性金属而成的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属；所述陶瓷烧结体基板的两面中的至少一个面具有布线图案，该布线图案具有由包含所述金属（A）、所述金属（B）和活性金属的导电性金属形成的表面导电层，所述布线图案在所述表面导电层的表面具有镀覆层，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面以及所述表面导电层与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。
【技术特征摘要】
2012.01.25 JP 2012-0130081.一种金属化陶瓷通孔基板的制造方法，所述金属化陶瓷通孔基板在陶瓷烧结体基板中形成有导电性通孔，该金属化陶瓷通孔基板具有：在所述陶瓷烧结体基板的贯通孔中密填充导电性金属而成的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属(A)、熔点高于该金属(A)的金属(B)、以及活性金属；所述陶瓷烧结体基板的两面中的至少一个面具有布线图案，该布线图案具有由包含所述金属(A)、所述金属(B)和活性金属的导电性金属形成的表面导电层，所述布线图案在所述表面导电层的表面具有镀覆层，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面以及所述表面导电层与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层；该制造方法包括：准备具有贯通孔的陶瓷烧结体基板的工序；在所述贯通孔中填充第一金属糊剂的填充工序，所述第一金属糊剂包含比熔点为600℃以上且1100℃以下的金属(A)的熔点高的金属(B)粉末和活性金属粉末而成；形成第二金属糊剂层的工序，在所述陶瓷烧结体基板的两面中的至少一个表面涂布第二金属糊剂，使得该第二金属糊剂与所述第一金属糊剂接触，所述第二金属糊剂包含熔点高于所述金属(A)的金属(B’)粉末和活性金属粉末而成；形成第三金属糊剂层的工序，在所述第二金属糊剂层的表面涂布包含所述金属(A)粉末而成的第三金属糊剂；烧成工序，通过将上述得到的基板烧成，在所述贯通孔内形成导电性通孔，在所述陶瓷烧结体基板的表面形成表面导电层，并且在该导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面以及该表面导电层与所述陶瓷烧结体基板的界面形成活性层；在所述表面导电层的表面形成镀覆层的工序；在该镀覆层中留作布线图案的部分的表面形成抗蚀图案的工序；通过蚀刻去除所述镀覆层和所述表面导电层中未被所述抗蚀图案覆盖的部分的工序；去除所述抗蚀图案的工序；以及，蚀刻所述活性层的露出的部分的工序，形成所述第三金属糊剂层的工序中，俯视透视所述陶瓷烧结体基板时，形成所述第三金属糊剂层的区域、与所述贯通孔的与相接于该形成的第三金属糊剂层的所述第二金属糊剂层相接的开口端部所占据的区域具有重叠部分。2.一种金属化陶瓷通孔基板的制造方法，所述金属化陶瓷通孔基板在陶瓷烧结体基板中形成有导电性通孔，该金属化陶瓷通孔基板具有：在所述陶瓷烧结体基板的贯通孔中密填充导电性金属而成的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属(A)、熔点高于该金属(A)的金属(B)、以及活性金属；...
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