【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装结构及方法，尤其是一种信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构及方法，属于半导体工艺集成
技术介绍
随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能、环保型等方向的发展，人们努力寻求将电子系统越做越小，集成度越来越高，功能越做越多、越来越强，由此产生了许多新技术、新材料和新设计，其中叠层芯片封装技术以及系统级封装(System-1n-Package,SiP)技术就是这些技术的典型代表。三维封装技术，是指在将封装结构由二维布局拓展到三维布局，在相同封装体积内实现更高密度、更高性能的系统集成。而娃穿孔(Through Silicon Via, TSV)是实现三维封装中的关键技术之一。这归因于TSV在现有的硅基工艺基础上实现了三维堆叠结构，增大元器件密度，减小互连延时问题，实现高速互联。硅穿孔工艺是一种新兴的集成电路制作工艺，适合用作多方面性能提升，在高频高速以及大功率应用中， 能极大的提高电路的频率特性和功率特性。硅穿孔工艺将制作在硅片表面的电路通过硅通孔中填充的金属连接至硅片背面，结合三维封装工艺，使得IC(集成电路)芯片布局从传统二维分布发...
【技术保护点】
一种信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构，包括衬底（1）；其特征是：所述衬底（1）内设有贯通衬底（1）的信号线通孔（10）及地线通孔（9），所述地线通孔（9）内设置地线连接导体（13），所述地线连接导体（13）与地线通孔（9）形成地线TSV，且地线连接导体（13）与衬底（1）连接接触；信号线通孔（10）内设置信号线连接导体（14），所述信号线连接导体（14）与信号线通孔（10）形成信号线TSV，且信号线连接导体（14）通过设置在信号线通孔（10）内壁的绝缘层（7）与衬底（1）绝缘隔离。
【技术特征摘要】
1.一种信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构，包括衬底(I);其特征是:所述衬底(I)内设有贯通衬底(I)的信号线通孔(10)及地线通孔(9)，所述地线通孔(9)内设置地线连接导体(13)，所述地线连接导体(13)与地线通孔(9)形成地线TSV，且地线连接导体(13)与衬底(I)连接接触；信号线通孔(10)内设置信号线连接导体(14)，所述信号线连接导体(14)与信号线通孔(10)形成信号线TSV，且信号线连接导体(14)通过设置在信号线通孔(10)内壁的绝缘层(7)与衬底(I)绝缘隔离。2.根据权利要求1所述的信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构，其特征是:所述衬底(I)包括硅衬底。3.根据权利要求1所述的信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构，其特征是:所述绝缘层(7 )覆盖信号线通孔(10 )的内壁，且覆盖信号线通孔(10 )及地线通孔(9 ) 一端外侧的衬底(I)表面。4.一种信号线TSV和地线TSV工艺集成的方法，其特征是:所述集成的方法包括如下步骤: (a)、提供衬底(I)，所述衬底(I)具有两个相对应的主面，所述主面包括第一主面及与所述第一主面对应的第二主面；在衬底(I)的第一主面上设置掩膜层(2)，选择性地掩蔽和刻蚀掩膜层(2)，以在衬底(I)的第一主面上方得到贯通掩膜层(2)的第一刻蚀窗口(3)及第二刻蚀窗口(4)； (b)、利用所述第一刻蚀窗口(3)及第二刻蚀窗口(4)对衬底(I)进行刻蚀，以在衬底Cl)内得到第一沟槽(5)及第二沟槽(6)，其中，第二沟槽(6)位于第二刻蚀窗口(4)的正下方，第一沟槽(5)位于第一刻蚀窗口(3)的正下方，第二沟槽(6)在衬底(I)内的深度大于第一沟槽(5)在衬底(I)的深度； (c )、去除衬底(I)第一主面上的掩膜层(2 ); (d)、在上述衬底(I)的第一主面上设置绝缘层(7)，所述绝缘层(7 )覆盖衬底(I)的第一主面，同时覆盖第一沟槽(5)及第二沟槽(6)对应...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛恺，于大全，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：
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