一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法技术

技术编号:8956684 阅读:171 留言:0更新日期:2013-07-25 01:40
本发明专利技术公开了一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法,包括放置籽晶、装料、抽真空、启动氦气、加热化料、晶体生长、降温退火、检测及处理等步骤;本发明专利技术将目前使用的直径260mm坩埚增大至直径285mm坩埚,无需变动原热场,对长晶参数进行优化,投料量从37kg增加至60kg,从而提高了生产效率,降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于蓝宝石
,涉及一种c取向蓝宝石单晶的生长方法,尤其涉及一种大尺寸的使用直径285_的坩埚进行c取向蓝宝石单晶生长的方法。
技术介绍
蓝宝石(Sapphire)是一种氧化铝(a -Al2O3)的单晶,又称为刚玉,晶体具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性,强度高、硬度大、耐冲刷,可在接近2000°C高温的恶劣条件下工作,因而被广泛的应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料。其独特的晶格结构、优异的力学性能、良好的热学性能使蓝宝石晶体成为实际应用的半导体GaNAl2O3发光二极管(LED),大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等最为理想的衬底材料。近年来,随着现代科学技术的发展,对蓝宝石晶体材料的尺寸、质量不断提出新的要求。例如,美国国家自然科学基金委员会作为LIGO (Laser InterferometerGravitational Wave Observatory)计划中分光透镜用的蓝宝石晶体,晶体尺寸:350 X 120mm,光学均匀性:Λ n〈2 X 10'弱光吸收系数(1064nm):10_6/cm ;红外成像探测设备的窗口材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)放置籽晶:将c取向籽晶放置在坩埚的籽晶槽内;(2)装料:将高纯氧化铝原料放入坩埚内,关闭炉盖,启动冷却水循环系统;(3)抽真空:启动真空系统,将炉腔压力抽至0.015Torr以下;(4)启动氦气:启动氦气冷却系统,调节氦气流量为40~100slm,防止化料过程中籽晶完全熔化;(5)加热化料:启动加热系统升温,以3.33KW/h进行升温,升温至11.55KW后,以11.55KW/h升温至61KW,以3℃/h升温,当探测融化位置达到目标值上方120mm时,以1.25℃/h进行升温,直至高纯氧化铝开始熔化,控制使籽晶部分熔化;(6...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许海波刘海滨娄中士姚亮
申请(专利权)人:苏州海铂晶体有限公司
类型:发明
国别省市:

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