一种多晶硅的铸锭方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅的铸锭方法，涉及硅的生长制造技术领域。所述方法包括以下步骤：碎硅片准备→硅片准备→坩埚装料→控制加热条件，使坩埚上面硅料熔化→控制碎硅片部分熔化→长晶阶段→退火阶段→冷却阶段。所述方法使用碎硅片生产硅锭，大大降低了生产成本；因使用碎硅片作为晶体生长的籽晶，可以生长得到具有结构均匀的小晶粒硅锭，晶粒之间的大小不会出线较大的差异，不会导致电池PECVD镀膜出现较大的色差，继而不会影响到后续太阳能电池组件的制造，提高了太阳能电池组件的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅的生长制造
，尤其涉及一种多晶硅的生长方法。
技术介绍
在快速发展的光伏产业中，高效率及低成本一直是企业的竞争点，对于目前市场不景气的太阳能行业，高效率和低成本更是成为企业是否能够生存的标杆。目前多晶硅主要采用定向凝固方法制得，一般容易出现的问题是，坩埚底部冷却后会出现大量形核点，很难得到较大的晶粒，所以在铸锭多晶中往往含有大量晶界及缺陷，且由于各个晶粒晶向不一，使得制得的多晶硅太阳能电池的转化效率较低。在现有技术中，太阳能行业还兴起一种多晶炉铸准单晶的制造方法。如专利号为201010198142.5的一种准单晶硅的铸锭方法。该专利先通过在石英坩埚底部铺设籽晶，再从籽晶上面铺设硅料和掺杂剂。等籽晶熔化到一段时停止加热，开始冷却。液体的硅料会沿着底部籽晶的晶向开始生长。一般得到硅块的中间的晶粒比较大，成为纯度较高的单晶硅块，但是周围一圈的硅块还是呈现多晶，效率较低。对于周围的硅块，由于晶粒大小存在较大的差异，致使电池PECVD (等离子体增强化学气相沉积法)镀膜出现较大色差，对于后面组件的制作也带来很大的麻烦。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅的铸锭方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选取经过清洗后的硅片和碎硅片，将上述硅片水平铺设在坩埚的底部，保证硅片之间没有间隙，在坩埚底部四周铺设经过清洗后的边皮料，将碎硅片铺设到硅片上，然后在碎硅片上添加掺杂剂和原硅料、回收硅料；（2）将放置有上述硅料的坩埚放置于铸锭炉内进行抽真空并加热，此步分为两个阶段，第一阶段为功率加热控制，进行分段升温；第二阶段为融化控制，采用温度加热，使铸锭炉上部的硅料融化；等上部的硅料开始溶化后，使用玻璃棒持续对坩埚中的液面进行测量，保证位于坩埚底部的碎硅片部分熔化，然后进入长晶阶段；（3）在长晶阶段，此时通过控制铸锭炉内的温度并将隔热笼慢慢提升，使得坩埚...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任军海，曹丽，姜超，
申请(专利权)人：衡水英利新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：