用于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴制造技术

本发明专利技术公开了一种用于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴。该石墨吸嘴由多节石墨管堆栈组合而成，其中，每一石墨管包括一上结合部与一下结合部，上结合部位于该石墨管的上方顶面，下结合部位于该石墨管的下方底面，并与该上结合部对应，使得各石墨管的该上结合部与另一石墨管的该下接合部可相互抵接，并于各石墨管堆栈之后，经由烧结处理使各石墨管融合密接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为一种用于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴。
技术介绍
本案申请人于2011年10月24日提出中国台湾专利技术专利申请号第100138537号，专利技术名称《真空循环精炼太阳能级多晶硅技术与设备》，其揭露一种将RH炉(循环法真空处理炉)和VD炉(真空脱气炉)合并，制成单嘴双真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，并运用此一设备的真空搅拌、扩散与脱气技术，制备太阳能级多晶硅。该单嘴双真空循环精炼太阳能级多晶硅设备包括:上方RH炉的高度真空室与下方VD炉(或合并中频炉)的低度真空室，通过一根单嘴连通管(圆管吸嘴)连接。其中，RH炉真空处理又称循环法真空炉,其由德国Ruhrstahl/Heraeus 二公司共同开发，其主要作业方式透过真空室下方两个导管插入钢水，在抽真空后带动钢水上升至一定高度，再于上升管吹入惰性气体Ar以带动钢液进入真空室接受真空处理，随后经另一下行导管流回钢包。此法已成为先进钢厂的钢水主要真空处理方法。然而目前炼钢所使用的导管内衬吸嘴多为氧化铝、石英(氧化硅)、陶瓷或其它含镁、含硼…的耐火材料所制成，均不适合用来作为精炼太阳能级多晶硅循环真空设备(RH炉)中的吸嘴使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴，由多节石墨管堆栈组合而成，其特征在于每一石墨管包括：一上结合部，位于该石墨管的上方顶面；及，一下结合部，位于该石墨管的下方底面，并与该上结合部对应，使得各石墨管的上结合部与另一石墨管的下接合部相互抵接；并于各石墨管堆栈之后，经由烧结处理使各石墨管融合密接。

【技术特征摘要】
2012.01.20 TW 1011023341.一种用于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴，由多节石墨管堆栈组合而成，其特征在于每一石墨管包括: 一上结合部，位于该石墨管的上方顶面；及， 一下结合部，位于该石墨管的下方底面，并与该上结合部对应，使得各石墨管的上结合部与另一石墨管的下接合部相互抵接； 并于各石墨管堆栈之后，经由烧结处理使各石墨管融合密接。2.如权利要求1所述的用 于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴，其特征在于，该上结合部为平面且该下结合部为对应的平面；或是该上结合部呈由外向内上倾的斜面且该下结合部为由外向内上倾的斜面；或是该上结合部呈由外向内下倾的斜面且该下结合部亦呈由外向内下倾的斜面。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙文彬，
申请(专利权)人：太阳光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：