一种光蚀刻显影液的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光蚀刻显影液的制备方法，本发明专利技术通过混合一定比例的三甲胺，三乙胺，和碳酸二甲酯，合成四甲基铵和三乙基单甲基铵碳酸单甲酯混合物中间体。然后经过水解，纯化，电解工序得到四甲基氢氧化铵和三乙基单甲基氢氧化铵混合铵显影液溶液。同时也可通过加入碳酸二乙酯得到更多种类烷基结构的烷基氢氧化铵水溶液。所得到的不同链长结构的烷基氢氧化铵混合铵显影液具有生产价格低，工艺简单，金属含量低，适合细精度窄线宽要求的短波长光源工艺的显影需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于集成电路(IC)及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-1XD)中的窄线宽光刻胶显影工艺的显影液的制备方法，该显影液可用于紫外正性光刻胶和化学增幅型光刻胶等场合。
技术介绍
利用光刻胶涂布，光罩掩膜然后显影蚀刻得到所需图案的光刻胶蚀刻技术，广泛用于集成电路，TFT-LCD等微电子制造领域。目前应用最为广泛的是以四甲基氢氧化铵(TMAH)为主的有机碱显影液，以克服无机碱引入金属离子造成短路的问题。以常见的紫外正性光刻胶的显影为例，其显影的机理是:光罩上通过紫外光的图案区域的光刻胶感光剂部分生成了茚酸，同时破坏了 Novolak型酚醛树脂同感光剂之间主要以氢键和叠氮耦合作用为主的桥联作用，从而促使光刻胶溶解在碱液中。化学增幅法光刻胶则是通过光致产酸剂催化聚合物链悬挂官能团在曝光光源照射的情况下发生-O-C-O键断裂，产生更多的酸性基团，从而使原先不溶于碱液的聚合物链溶解在碱液中来达到显示图案的目的。这种酸催化效应使得光刻胶光敏度大幅增强，所用碱液的浓度降低，而对显影液蚀刻速度及蚀刻形状的要求更加严苛。通过电解四甲基铵盐生产TMAH工艺的工业化成功使得有机碱具备大规模应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光蚀刻显影液的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：?（1）精制混合：将三甲胺和三乙胺分别精馏精制后用甲醇吸收，加入反应釜，碳酸二甲酯经精馏精制后加入反应釜；三乙胺和三甲胺的摩尔比为0.10?0.50:1；三甲胺和碳酸二甲酯的摩尔比为0.7?1.4:1；（2）合成：反应釜中通入氮气置换空气，控制反应系统压力在1.2MPa?3MPa，反应温度在110?130摄氏度，保持反应时间在4?8小时；反应后送至蒸发器减压回收甲醇溶剂及未反应的三甲胺和碳酸二甲酯，得到四甲基铵碳酸单甲酯和三乙基单甲基铵碳酸单甲酯混合物中间体；（3）水解：从蒸发器中出来的四甲基铵碳酸单甲酯和三乙基单甲基铵碳酸单甲酯混合物中间...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐雅玲，黄源，尹云舰，
申请(专利权)人：合肥格林达电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：