有效减少孔显影缺陷的显影方法技术

本发明专利技术提出的可有效减少孔显影缺陷的显影方法，其步骤包括：A.RRC润湿；B.RRC去除；C.第一次显影；D.显影液去除；E.第二次显影；F.显影液去除；G.低速短时清洗；H.第一次高速长时清洗；I.清洗液去除；J.第二次高速长时清洗；K.清洗液去除。通过对涂敷光刻胶的硅片喷洒表面活性剂，对光刻胶层进行预湿润，可以使后续喷洒的显影液能够充分与光刻胶表面接触，从而使得显影液与光刻胶进行充分的反应。并且，通过两次高速长时清洗并且在两次高速长时清洗之间进行清洗液去除，可以完全去除显影反应产生的残渣，从而有效地减少斜线缺陷和接触孔堵塞缺陷的发生，最终提高半导体器件的电性和良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体的光刻领域，尤其涉及一种。
技术介绍
在半导体集成电路制造工艺中，光刻工艺有着举足轻重的地位。在进行离子注入或刻蚀之前，需要通过光刻工艺形成光刻胶图案，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域。因而，光刻工艺水平的高低、质量的好坏会直接影响刻蚀或离子注入的结果，并最终会影响形成的半导体器件的电性和良率。在光刻工艺过程中，随着技术节点的不断提高，图形尺寸的不断缩小，显影缺陷的影响也越来越大，显影缺陷是造成产品成品率损失的主要原因。比较各显影缺陷中，残渣缺陷是经常出现的问题。其中有一类残渣来自于显影反应的生成物，没有被清洗步骤冲洗掉，残留在晶圆表面，造成图形的失效。我们在小分辨率图形上所用的光刻胶一般都是光学放大光刻胶，其主要成份是:1.光酸引发剂:遇到光照射后产生光酸；2.树脂:光刻胶的主要材料，是一种聚合物，可溶于碱性溶液；3.抑制剂:抑制树脂的反应；4.溶剂:溶解光酸引发剂、树脂及抑制剂。其反应机理见图1，光酸引发剂通过紫外线(hv)照射产生H+，通过曝光后烘烤(Post Exposure Bake, PEB)将H+扩散到光刻胶的内部，H+与抑制剂反应，使抑制剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、对涂敷有光刻胶的硅片进行表面活性剂润湿，使后续喷的显影液与光刻胶充分接触；第二步、表面活性剂去除；第三步、第一次显影，先将部分曝光处的光刻胶反应掉；第四步、去除显影液和反应后的残渣；第五步、第二次显影，与曝光处剩下的光刻胶进行充分的反应；第六步、去除显影液和反应后的残渣；第七步、第一次高速长时清洗，将大部分的显影液和残渣去除；第八步、清洗液去除，去除混有显影液和残渣的清洗液；第九步、第二次高速长时清洗，将残留的显影液和残渣都去掉；第十步、清洗液去除，将硅片表面的清洗液全部去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闵金华，段立峰，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：