一种准单晶硅铸锭设备及铸锭方法技术

本发明专利技术涉及一种准单晶硅铸锭设备，其包括设置于壳体内的铸锭室和籽晶储存室，设置于籽晶储存室和铸锭室之间的隔热门以及可以将籽晶从籽晶储存室穿过隔热门移动铸锭室的坩埚中的籽晶投放装置。本发明专利技术还涉及利用该设备的准单晶硅铸锭方法，该方法先利用加热装置对坩埚及置入坩埚内的硅料进行加热，待硅原料完全熔化为硅液，并控温至硅液结晶前状态后，再利用籽晶投放装置将籽晶从籽晶储存室移动至铸锭室的坩埚中，进行长晶，形成硅锭。采用本发明专利技术的准单晶硅铸锭设备及方法大幅降低温度控制的难度，避免了现有技术中坩埚底部温度难以精确控制，籽晶可能全部熔化或不熔化的问题，并进而提高了生产效率，有效保证了产品的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铸锭
，具体涉及准单晶硅铸锭

技术介绍
准单晶硅(mono like，也称“类单晶硅”)是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术，其功耗只比普通多晶硅多5%，所生产的单晶硅的品质接近直拉单晶硅，是目前光伏行业应用最广泛的铸锭工艺之一。现有技术中存在多种准单晶硅铸锭工艺，较为新颖的铸锭方法包括:申请号为200910152970.2的中国专利申请，一种单晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方法；申请号为201010198142.5的中国专利申请，一种准单晶硅的铸锭方法；申请号为201010564154.5的中国专利申请，一种石英坩埚和铸造准单晶的方法；以及申请号为201110067923.5的中国专利申请，用于定向凝固法生长硅晶体的弓I晶模具及晶体生长方法。上述工艺都不外乎两种准单晶铸锭法:无籽晶铸锭和有籽晶铸锭。因为无籽晶铸锭在晶体生长时要求温度梯度与晶体生长速度等条件要求苛刻，所以工艺控制难度较大；有籽晶铸锭，则一般采用把籽晶放入坩埚底部，上面装入硅料，再加热融化硅料，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准单晶硅铸锭设备，所述的设备包括壳体、设置于所述的壳体内的铸锭室以及设置于所述的铸锭室内的坩埚和加热装置，所述的加热装置设置于所述的坩埚的周围，其特征在于，所述的准单晶硅铸锭装置还包括：籽晶储存室，设置于所述的壳体内，隔热门，设置于所述的籽晶储存室和所述的铸锭室之间；籽晶投放装置，用以将籽晶穿过所述的隔热门设置于所述的籽晶储存室或所述的铸锭室的坩埚中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐传兴，
申请(专利权)人：徐传兴，
类型：发明
国别省市：