一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法技术

技术编号:8902531 阅读:184 留言:0更新日期:2013-07-10 23:07
本发明专利技术公开了一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法,所述方法是一种原位反应法,即,首先将酚醛树脂、锆粉、硅粉加入有机溶剂中,球磨使混合均匀;然后干燥除去有机溶剂,制得先驱体粉末;再将先驱体粉末在800~1000℃进行裂解处理;裂解处理后,再在惰性气氛下,于1500~1800℃进行热处理。本发明专利技术提供的ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法,具有操作简单,成本低,可规模化实施及可任意调节其中两相比例等优点,有助于实现ZrC-SiC复相陶瓷材料在超高温领域的广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种复相陶瓷材料的制备方法,具体说,是涉及一种含有ZrC和SiC两物相的复相陶瓷材料的制备方法,属于陶瓷材料

技术介绍
随着航天技术的发展,尤其是伴随着高超声速飞行器的提出,航天飞行速度得到了大幅度的提高。由于飞行器在服役过程中将承受巨大的启动加热,飞行器表面温度达到20000C以上。因此寻求能够在2200 3000°C高温环境中稳定工作的耐超高温材料成为研究的目标。超高温陶瓷(Ultra-high-temperatureceramics,UHTCs)是指由一些过渡金属的硼化物及碳化物组成的多元复合陶瓷体系,如HfB2、HfC、ZrB2、ZrC等。这些材料的熔点超过3000°C,有良好的热化学稳定性,高的导热、导电性能并且在1600°C以上具有优异的抗氧化性。碳化锆(ZrC)具有高熔点、高模量、高硬度、高的热导率和电导率,无相变和良好的抗热震性能,成为高温结构应用的潜在候选材料。相比ZrC来说,碳化硅(SiC)作为基体具有耐高温、硬度大、强度高、模量高、高温性能优异等优点,同时其高温氧化后在材料表面形成一层SiO2薄膜,能够避免氧化性气体与复合材料直接接触,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ZrC?SiC复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于:是一种原位反应法,即,首先将酚醛树脂、锆粉、硅粉加入有机溶剂中,球磨使混合均匀;然后干燥除去有机溶剂,制得先驱体粉末;再将先驱体粉末在800~1000℃进行裂解处理;裂解处理后,再在惰性气氛下,于1500~1800℃进行热处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李庆刚董绍明王震周海军何平胡建宝丁玉生张翔宇
申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
类型:发明
国别省市:

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