一种电子元器件焊接方法技术

本发明专利技术公开了一种电子元器件焊接方法，其包括以下步骤：首先，在需要焊接元器件的载体位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件结构匹配的凹坑；然后，将元器件放置于凹坑内，再将锡膏涂在元器件顶部及元器件与凹坑侧壁之间；对锡膏加热，锡膏吸收热量熔化完成焊接。本发明专利技术在载体上做凹坑结构，这在元器件放入其中后因为结构的限制就避免了偏移和立碑等的不良；锡膏没有了元器件的遮挡，更易吸收热量而熔化达到焊接的效果；本发明专利技术采用顶部焊接，很方便产线操作员去检测判断焊接的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件的表面贴装工艺，具体的就是将电子元器件焊接在PCB，塑胶主体或是其他一些载体上。
技术介绍
普通的表面贴装工艺多为在FPC或是PCB表面通过预加锡膏以及通过回流焊接炉制程将锡膏熔化，从而达到将元器件焊接/贴装在FPC或PCB上的目的。但是随着技术的发展，元器件的焊接已经不仅仅限于FPC&PCB这些平整的平面上，如附图一所示，因为产品设计的需要，元器件越来越多的被要求焊接在一些异形(非平整)面上。如附图一所示的在凹坑内焊接电子元气件，现有工艺遇到的主要技术瓶颈是: 1.因为是异形面，而非平整面。所以传统的网板刷锡膏工艺已经不适用，只能采用点锡膏的方式，比如说用自动点锡膏机器点锡膏。但是点锡膏制程的锡膏量以及锡膏的高度差异性较大，其锡膏形状和高度的一致性无法与网板刷锡膏工艺相比，所以因为元器件两端的锡膏量不一致，过回流焊接炉后，因元气件受力不均，极易造成元器件的偏移，立碑等不良。不良现象可参考附图二和附图三。2.因为元器件在凹坑内，考虑到凹坑内空间较平面结构更难受热。所以为了保证凹坑内的温度，不可避免的需要增大回流焊接炉炉内的风速。这样一来增大了元器件被风吹而移动的不良比率，风速的影响对0201这样微型尺寸的元气件的影响更为明显。载体的凹坑结构，在加上锡膏收到元器件的遮挡。使锡膏本身的受热很困难，产品易出现冷焊，虚焊等不良。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供，其包括以下步骤: 首先，在需要焊接元器件的载体位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件结构匹配的凹坑； 然后，将元器件放置于凹坑内，再将锡膏涂在元器件顶部及元器件与凹坑侧壁之间； 对锡膏加热，锡膏吸收热量固化完成焊接。较佳地，所述凹坑的容积大于所述元器件的体积。较佳地，其通过回流焊接炉对所述锡膏加热。较佳地，所述载体包括PCB、塑胶主体。较佳地，所述载体表面为异形面。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下: 本专利技术在载体上做凹坑结构，这在元器件放入其中后因为结构的限制就避免了偏移和立碑等的不良影响；锡膏没有了元器件的遮挡，更易吸收热量而熔化达到焊接的效果；本专利技术采用顶部焊接，很方便产线操作员去检测判断焊接的质量。当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明图1为现有技术正常焊接示意 图2为现有技术造成元器件偏移示意 图3为现有技术造成元器件立柱示意 图4为本专利技术实施例提供的凹坑结构示意 图5为现有技术焊接方式示意 图6为本专利技术实施例提供的元器件焊盘预焊区域示意 图7为本专利技术实施例提供的焊接方式示意图。 具体实施例方式本专利技术提供了一种电子元器件I焊接方法，其主要设计思想为:元器件I焊接的对应的载体2部分做沉入式设计，即在载体2上做凹坑结构，如附图四所示。这在元器件I放入其中后因为结构的限制就避免的偏移和立碑等的不良；电子元器件I的焊接通常是将元器件I的底部与载体2焊接，如附图五所示。但是这里我们创新的采用的将元气件的顶面以及侧面与载体2焊接的方式，对元器件I本身来讲，其两端的是各有5个面可能用来焊接的，如附图六所示。所以元器件I本身的顶部以及侧面焊接是没有问题的。通过顶部以及侧面焊接，锡膏3是预加在元气件的顶部以及侧面的，这样一来，相对于底部焊接来讲，锡膏3没有了元器件I的遮挡，直接与炉内高温空气接触。更易吸收热量而熔化达到焊接的效果，如附图七所示；普通的元器件I的底部焊接，因为视线受到遮挡，SMT后很难检查元器件I焊锡的质量，冷焊，虚焊等不良一直是困扰SMT的检验难题。但是本创新因为是在顶部焊接，很方便产线操作员去检测判断焊接的质量，大大过滤了产品的焊接缺陷。实施例一种电子元器件I焊接方法，其包括以下步骤: 首先，在需要焊接元器件I的载体2位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件I结构匹配的凹坑； 然后，将元器件I放置于凹坑内，再将锡膏3涂在元器件I顶部及元器件I与凹坑侧壁之间； 对锡膏3加热，锡膏3吸收热量固化完成焊接。所述凹坑的容积大于所述元器件I的体积，其通过回流焊接炉对所述锡膏3加热，所述载体2包括PCB、塑胶主体，也可以为其它材质的载体2，在此不--列举。所述载体2表面为异形面，即非平整面。其通过回流焊接炉对所述锡膏3加热，所述焊盘预焊位置包括所述元器件I焊盘的顶部与侧面，所述凹坑的容积稍大于所述元器件I的体积，凹坑与元器件I之间的间隙可用于锡膏3的容置。本创新设计适用于需要在凹坑结构内焊接元器件I的场合，但是不限于此场合。且不限于元器件I到载体2的焊接，也不限于回流焊接炉这种单一的焊接方式。可推广到各种零件焊接过程中零件的偏移，冷焊虚焊等问题的解决。以上公开的本专利技术优选实施例只是用于帮助阐述本专利技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该专利技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本专利技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本专利技术。本专利技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。权利要求1.，其特征在于，包括以下步骤: 首先，在需要焊接元器件的载体位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件结构匹配的凹坑； 然后，将元器件放置于凹坑内，再将锡膏涂在元器件顶部及元器件与凹坑侧壁之间； 对锡膏加热，锡膏吸收热量固化完成焊接。2.如权利要求1所述的电子元器件焊接方法，其特征在于，所述凹坑的容积大于所述元器件的体积。3.如权利要求1所述的电子元器件焊接方法，其特征在于，其通过回流焊接炉对所述锡膏加热。4.如权利要求1所述的电子元器件焊接方法，其特征在于，所述载体包括PCB、塑胶主体。5.如权利要求4所述的电子元器件焊接方法，其特征在于，所述载体表面为异形面。全文摘要本专利技术公开了，其包括以下步骤首先，在需要焊接元器件的载体位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件结构匹配的凹坑；然后，将元器件放置于凹坑内，再将锡膏涂在元器件顶部及元器件与凹坑侧壁之间；对锡膏加热，锡膏吸收热量熔化完成焊接。本专利技术在载体上做凹坑结构，这在元器件放入其中后因为结构的限制就避免了偏移和立碑等的不良；锡膏没有了元器件的遮挡，更易吸收热量而熔化达到焊接的效果；本专利技术采用顶部焊接，很方便产线操作员去检测判断焊接的质量。文档编号B23K1/008GK103192150SQ20131010673公开日2013年7月10日 申请日期2013年3月29日 优先权日2013年3月29日专利技术者张文宇, 蒋元魁, 翟后明, 丁迎伟, 姚巍巍 申请人:上海安费诺永亿通讯电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元器件焊接方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，在需要焊接元器件的载体位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件结构匹配的凹坑；然后，将元器件放置于凹坑内，再将锡膏涂在元器件顶部及元器件与凹坑侧壁之间；对锡膏加热，锡膏吸收热量固化完成焊接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文宇，蒋元魁，翟后明，丁迎伟，姚巍巍，
申请(专利权)人：上海安费诺永亿通讯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：