透明导电膜及其连通方法技术

一种透明导电膜及其连通方法，包括基底、透明导电层和引线电极，基底包括第一区域和位于基底边缘的第二区域，透明导电层包括第一网格凹槽，以及由填充于第一网格凹槽的导电材料形成的第一导电网格；引线电极包括含有导电材料的第二导电网格，在透明导电层与第二区域相交处的导电材料的端部形成节点，并与对应的引线电极的端点直接电连接；如此，通过在基底的第一区域开设第一网格凹槽，将导电材料填充于第一网格凹槽以形成第一导电网格，从而构成透明导电层，再在第二区域布设引线电极，与此同时透明导电层与第二区域相交处的导电材料的端部会形成节点，并直接与引线电极导电材料的端点电连接，简化制作工艺，导电膜的导电性能好，提高良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，特别是涉及一种。
技术介绍
触摸屏(touchscreen)又称为“触控屏”、“触控面板”，是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示系统，可用以取代机械式的按钮面板，并借由液晶显示画面制造出生动的影音效果。目前，导电层是触摸屏中至关重要的组成部分。传统的触摸屏一般采用掺锡氧化铟(IndiumTinOxides，ΙΤ0)导电层。在制备ITO层时，总是不可避免的需要镀膜，图形化，电极银引线制作。且在ITO图形化的时候需要对ITO膜进行蚀刻，这种传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。
技术实现思路
基于此，有必要针对导电层的导电性差，良品率不高的问题，提供一种。一种透明导电膜，包括:基底，包括第一区域，及位于所述基底边缘的第二区域；透明导电层，埋入设置于所述第一区域，所述透明导电层包括第一网格凹槽，以及由填充于所述第一网格凹槽的导电材料形成的第一导电网格；引线电极，形成于所述基底的第二区域，所述引线电极包括含有导电材料的第二导电网格；所述透明导电层与所述第二区域相交处的导电材料的端部形成节点，并与对应的所述引线电极的导电材料的端点直接电连接。在其中一个实施例中，所述第二导电网格的网格线的密度不小于所述第一导电网格的网格线的密度。在其中一个实施例中，所述引线电极包括开设于所述第二区域的第二网格凹槽，所述第二导电网格的导电材料收容于所述第二网格凹槽。在其中一个实施例中，所述第一网格凹槽的深度与宽度的比值不小于1，所述第二网格凹槽的深度与宽度的比值不小于1，所述第一网格凹槽的宽度和所述第二网格凹槽的宽度均不大于10 μ m。在其中一个实施例中，所述引线电极凸设于所述第二区域的表面。在其中一个实施例中，所述引线电极的最小宽度为2μπι 20μπι，所述引线电极的高度为5 μ m 10 μ m。在其中一个实施例中，所述基底还包括设置于所述基底之上的基质层，所述第一区域和所述第二区域均位于所述基质层。在其中一个实施例中，还包括遮光层，所述遮光层位于所述基底的边缘，所述引线电极形成于所述基质层远离所述遮光层的一侧。在其中一个实施例中，所述第一导电网格和/或所述第二导电网格的网格形状均为规则网格或者随机网格。一种透明导电膜的连通方法，包括以下步骤:提供一基底，包括第一区域，及位于所述基底边缘的第二区域；布设透明导电层，在所述第一区域开设第一网格凹槽，填充导电材料于第一网格凹槽并烧结，形成第一导电网格，构成透明导电层；布设引线电极，设置导电材料于所述基底的第二区域，形成第二导电网格，构成引线电极；在所述透明导电层与所述第二区域相交处的导电材料的端部形成节点，并与对应的所述弓I线电极的导电材料的端点直接电连接。在其中一个实施例中，所述布设引线电极具体包括以下步骤:压印，在所述基底的第二区域通过压印形成第二网格凹槽；填充导电材料于第二网格凹槽并烧结，形成第二导电网格，构成引线电极。在其中一个实施例中，所述布设第二导电网格具体包括:喷墨打印导电材料于所述基底的第二区域的表面，形成第二导电网格，构成引线电极。上述，在基底的第一区域开设第一网格凹槽，将导电材料填充于第一网格凹槽形成第一导电网格，构成透明导电层，在位于基底边缘的第二区域形成引线电极，在透明导电层与第二区域相交处的导电材料的端部形成的节点，并将该节点与引线电极导电材料的端点直接电连接。如此，通过在基底的第一区域开设第一网格凹槽，将导电材料填充于第一网格凹槽以形成第一导电网格，从而构成透明导电层，再在第二区域布设引线电极，与此同时透明导电层与第二区域相交处的导电材料的端部会形成节点，并直接与引线电极导电材料的端点电连接，简化制作工艺，导电膜的导电性能好，提高良品率。附图说明图1为本专利技术实施例一中的透明导电膜的结构示意图；图2为图1中A处的放大结构示意图；图3为图1所示透明导电膜的另一视角结构示意图；图4为本专利技术实施例二中的透明导电膜的结构示意图；图5为本专利技术实施例三中的透明导电膜的结构示意图；图6为本专利技术实施例四中的透明导电膜的结构示意图；图7为图1所示透明导电膜的对准标记的结构示意图；图8为图7中B处的放大示意图；图9为图1所示透明导电膜的连通方法的流程图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步说明。如图1、图2和图3所示，在实施例一中，一种透明导电膜，包括基底110、透明导电层120和引线电极130。基底110包括第一区域112和位于基底110边缘的第二区域114，透明导电层120埋入设置于第一区域112，引线电极130形成于第二区域114。其中，透明导电层120包括第一网格凹槽，以及由填充于第一网格凹槽的导电材料形成的第一导电网格122 ;引线电极130包括含有导电材料的第二导电网格132。透明导电层120与第二区域114相交处的导电材料的端部形成节点124，并与对应的引线电极130的导电材料的端点直接电连接。具体如图3所示，第一区域112位于基底110上方的中间区域，第二区域114位于基底110两边的边缘区域。上述透明导电膜，在基底110的第一区域112开设第一网格凹槽，将导电材料填充于第一网格凹槽形成第一导电网格122,构成透明导电层120,在位于基底110边缘的第二区域114形成引线电极130，与此同时透明导电层120的导电材料的端部形成节点124，并将该节点124与引线电极130的导电材料的端点直接电连接。具体地，提供一基底110 ;布设第一导电网格122,在基底110的第一区域112开设第一网格凹槽,将导电材料填充于第一网格凹槽以形成第一导电网格122，从而构成透明导电层120 ;布设第二导电网格132，在基底110的第二区域114形成由导电材料构成的第二导电网格132，构成引线电极130 ;在透明导电层120与第二区域114相交处的导电材料的端部形成节点124，并与对应的引线电极130的导电材料的端点直接电连接。如此,通过在第一区域112开设第一网格凹槽，将导电材料填充于第一网格凹槽，以形成透明导电层120，再在第二区域114布设第二导电网格132形成引线电极130，与此同时透明导电层120与第二区域114相交处的端部所形成的节点124会与引线电极130导电材料的端点连接。其中，引线电极130包括由导电材料构成的第二导电网格132，采用网格式的引线电极130，可增强引线电极130与柔性电路板的键合强度，提高导电膜的导电性。通过在透明导电层120的端部形成节点124，并将该节点124与引线电极130的导电材料的端点直接电连接，导电膜的导电性好，提高了良品率，且连接方式简便，制作工艺简便，降低成本。如图2所示，透明导电层120与引线电极130连接处会形成一虚拟边界线，位于该分界线处的透明导电层120的导电材料的端点会形成节点124，该节点124可与相对应的引线电极130的导电材料的端点相连通。其中，透明导电层120和引线电极130的导电材料均可以选用金、银、铜、铝、镍、锌或其中至少二者的合金中的一种。其中可以理解，制备透明导电层120的材料为电的导体即可实现相应的功能，如碳纳米管，石墨烯，导电高分子等。在本实施例中，引线电极130的材料为纳米银。其中，基底110的材料可以为对苯二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜，其特征在于，包括：基底，包括第一区域，及位于所述基底边缘的第二区域；透明导电层，埋入设置于所述第一区域，所述透明导电层包括第一网格凹槽，以及由填充于所述第一网格凹槽的导电材料形成的第一导电网格；引线电极，形成于所述基底的第二区域，所述引线电极包括含有导电材料的第二导电网格；所述透明导电层与所述第二区域相交处的导电材料的端部形成节点，并与对应的所述引线电极的导电材料的端点直接电连接。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜，其特征在于，包括: 基底，包括第一区域，及位于所述基底边缘的第二区域； 透明导电层，埋入设置于所述第一区域，所述透明导电层包括第一网格凹槽，以及由填充于所述第一网格凹槽的导电材料形成的第一导电网格； 引线电极，形成于所述基底的第二区域，所述引线电极包括含有导电材料的第二导电网格； 所述透明导电层与所述第二区域相交处的导电材料的端部形成节点，并与对应的所述引线电极的导电材料的端点直接电连接。2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二导电网格的网格线的密度大于所述第一导电网格的网格线的密度。3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述引线电极包括开设于所述第二区域的第二网格凹槽，所述第二导电网格的导电材料收容于所述第二网格凹槽。4.根据权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一网格凹槽的深度与宽度的比值不小于1，所述第二网格凹槽的深度与宽度的比值不小于1，所述第一网格凹槽的宽度和所述第二网格凹槽的宽度均不大于10 μ m。5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述引线电极凸设于所述第二区域的表面。6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，所述引线电极的最小宽度为2 μ m 20 μ m,所述引线电极的高度为5 μ m 10 μ m。7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述基底还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：周菲，曹淼倩，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：