一种电容器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电容器，包括素子、第一喷金层、第二喷金层以及用于将电容器和外部电路连接在一起的第一电容器引出电极和第二电容器引出电极，第一喷金层设置在素子的一个端面上，第二喷金层设置在素子的另一个端面上。第一电容器引出电极从第一喷金层上引出，第二电容器引出电极从第二喷金层上引出。其中，该电容器还包括固定设置在第一喷金层和/或第二喷金层上的半导体制冷片，半导体制冷片包括用于吸热的冷端和用于散热的热端，半导体制冷片的冷端贴合在第一喷金层或第二喷金层的表面上。本实用新型专利技术提供的电容器中，半导体制冷片直接贴合在电容器的喷金层表面，不需要为半导体制冷片的安装额外增加空间，节省了空间；并且，整个冷却系统安装、使用和维护上都较传统的冷却系统简单，较低了成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电容器，尤其涉及一种带有冷却装置的电容器。
技术介绍
电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。电容器在通电流工作时，素子内部热量由于传递至外部的热阻较其他区域大，且由于薄膜的熔点较低，一般的电容器额定稳定上限为85度，再高一点就必须使用高温薄膜，但额定温度上限也只在105度，而且内部温度比额定温度要高，温度过高就会对电容器的性能造成不良影响。因此，降低素子内部的温度，对于提高电容器的耐流能力起很重要的作用。传统的电容器冷却方式是使用外置装置，比如水冷、风冷等。通过液体或气体的流动，带走电容器在工作中产生的热量。由于是使用外置装置，所以增加了冷却装置需要的空间，也增加了系统的复杂性，增加了成本。例如，使用风冷，则需要有风扇以及相关的电路设计。
技术实现思路
本技术为解决现有的电容器冷却装置，占用空间大、系统设计复杂、成本高等技术问题，提供一种冷却过程中占用空间小、系统设计简单并且成本小的电容器。本技术提供了一种电容器，包括素子、第一喷金层、第二喷金层以及用于将电容器和外部电路连接在一起的第一电容器引出电极和第二电容器引出电极，第一喷金层设置在素子的一个端面上，第二喷金层设置在素子的另一个端面上；第一电容器引出电极从第一喷金层上引出，第二电容器引出电极从第二喷金层上引出；其中，上述电容器还包括固定设置在第一喷金层和/或第二喷金层上的半导体制冷片，半导体制冷片包括用于吸热的冷端和用于散热的热端，半导体制冷片的冷端贴合在第一喷金层或第二喷金层的表面上。优选地，上述半导体制冷片的冷端通过导热硅胶粘贴在第一喷金层或第二喷金层的表面上。更进一步，上述半导体制冷片上设置有热端引出电极，热端引出电极与第一电容器引出电极或第二电容器引出电极电连接。优选地，上述电容器中，半导体制冷片包括第一半导体制冷片和第二半导体制冷片，第一半导体制冷片的冷端贴合在第一喷金层的表面上，第二半导体制冷片的冷端贴合在第二喷金层的表面上。更进一步，上述第一半导体制冷片的冷端通过导热硅胶粘贴在第一喷金层上，第二半导体制冷片的冷端通过导热硅胶粘贴第二喷金层上。更进一步，第一半导体制冷片上设置有第一热端引出电极，第一热端引出电极与第一电容器引出电极电连接；第二半导体制冷片上设置有第二热端引出电极，第二热端引出电极与第二电容器引出电极电连接。更进一步，上述第一半导体制冷片和第二半导体制冷片通过一制冷片控制装置电连接在一起。更进一步，上述制冷片控制装置由一电阻和二极管串联组成。更进一步，上述制冷片控制装置固定在所述素子的侧面上。本技术提供的电容器，在电路中工作时，半导体制冷片两端加有电压，在半导体制冷片内部产生电流；这时，半导体制冷片的冷端吸热，将电容器工作过程中产生的热量吸入，并通过热端排出，实现对电容器的降温处理。同时，本技术提供的电容器中，半导体制冷片直接贴合在电容器的喷金层表面，不需要为半导体制冷片的安装额外的提供空间，节省了空间。并且，整个冷却系统在安装、使用和维护上都较传统的冷却系统简单，降低了成本。附图说明图1是电容器结构示意图。图2是半导体制冷片结构示意图。具体实施方式为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。在描述本技术技术方案之前，先介绍一下半导体制冷片4的结构和工作原理:如图2所示，本技术中提到的半导体制冷片4，为市场上能买到的常用半导体制冷片4，也叫热电制冷片，是一种热泵，半导体制冷片4是一个热传递工具。当一块N型半导体61和一块P型半导体62联结成的热电偶对中有电流通过时，两端之间就会产生热量转移，热量就会从一端转移到另一端，从而产生温差形成冷端8和热端9。如图2所示，图中的上端，电流方向是从N型半导体61至P型半导体62，温度下降并且吸热，称之为冷端8;图中的下端，电流方向是从P型半导体62到N型半导体61，温度上升并且放热，称之为热端9。半导体制冷片4就是由许多N型半导体61和P型半导体62相互排列组成,而N型半导体61和P型半导体62之间以一般的导体相连接形成一完整线路，最后，由两片绝缘陶瓷片7将N型半导体61和P型半导体62夹在中间，绝缘陶瓷片7具有良好的导热性能。如图1所示，本技术提供了一种电容器，包括素子1、第一喷金层21、第二喷金层22以及用于将电容器和外部电路(未示出)连接在一起的第一电容器引出电极31和第二电容器引出电极32。上述第一喷金层21设置在素子I的一个端面上，第二喷金层22设置在素子I的另一个端面上，第一电容器引出电极31从第一喷金层21上引出，第二电容器引出电极32从第二喷金层22上引出。设置第一电容器引出电极31和第二电容器引出电极32的目的是为了电容器更好的与外部电路进行连接，组装更加方便。上述电容器还包括固定设置在第一喷金层21和/或第二喷金层22上的半导体制冷片4，半导体制冷片4的冷端8贴合在第一喷金层21或第二喷金层22的表面上。第一喷金层21或第二喷金层22可设置成圆形，本领域常用的喷金层形状。这时，半导体制冷片4的形状也可设置成圆形，并且与第一喷金层21或第二喷金层22的大小一致，以起到最好的吸热和散热作用。当然，根据具体的结构需要，也可以设置成其他的形状和大小，比如方形、椭圆形等。同时，上述第一电容器引出电极31和第二电容器引出电极32分别位于第一喷金层21和第二喷金层22的中心位置，从其中心位置引出。这时，半导体制冷片4上的热端引出电极5也位于其中心位置。这里，根据不同的电容器结构，可以做相应的位置改变和调難iF.0其中，冷端8贴合在第一喷金层21或第二喷金层22的表面上的结构没有在附图中示出。不过，图2中给出了冷端8的示意，图1中给出了第一喷金层21和第二喷金层22的示意，本领域技术人员通过将图1和图2结合，可以得到冷端8贴合在第一喷金层21或第二喷金层22的表面上的情况。不同的电容器，对散热的要求不同；当然，对半导体制冷片4的要求也不同。本技术中，在电容器上可以设置一个或者两个半导体制冷片4。设置一个半导体制冷片4时，可以将其固定设置在第一喷金层21或第二喷金层22中的任意一个喷金层上；设置两个半导体制冷片4时，将其分别固定设置在第一喷金层21和第二喷金层22上。本技术中的“和/或”就表达了上述的意思，可以同时包括两个半导体制冷片4，也可以包含一个半导体制冷片4，以及与这两种情况相对应的半导体制冷片4与第一喷金层21或第二喷金层22的结构关系。不论包含一个半导体制冷片4还是两个半导体制冷片4，上述半导体制冷片4的冷端8均贴合在第一喷金层21或第二喷金层22的表面上。本技术提供的电容器在使用过程中，半导体制冷片4两端加有一定电压，这时，其冷端8开始吸热，将第一喷金层21或第二喷金层22表面传出的热量吸出，并传送至半导体制冷片4的热端9排出。达到在电容器使用过程中，对其进行降温的作用，并且，该结构的电容器，由于使用了半导体制冷片4与电容器结合的方式，因此其冷却装置系统就比较小，占用空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，包括素子（1）、第一喷金层（21）、第二喷金层（22）以及用于将电容器和外部电路连接在一起的第一电容器引出电极（31）和第二电容器引出电极（32），所述第一喷金层（21）设置在所述素子（1）的一个端面上，所述第二喷金层（22）设置在所述素子（1）的另一个端面上；所述第一电容器引出电极（31）从第一喷金层（21）上引出，所述第二电容器引出电极（32）从第二喷金层（22）上引出；其特征在于：所述电容器还包括固定设置在第一喷金层（21）和/或第二喷金层（22）上的半导体制冷片（4），所述半导体制冷片（4）包括用于吸热的冷端（8）和用于散热的热端（9），所述半导体制冷片（4）的冷端（8）贴合在第一喷金层（21）或第二喷金层（22）的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种电容器，包括素子(I)、第一喷金层(21)、第二喷金层(22)以及用于将电容器和外部电路连接在一起的第一电容器引出电极(31)和第二电容器引出电极(32)，所述第一喷金层(21)设置在所述素子(I)的一个端面上，所述第二喷金层(22 )设置在所述素子(I)的另一个端面上；所述第一电容器引出电极(31)从第一喷金层(21)上引出，所述第二电容器引出电极(32)从第二喷金层(22)上引出；其特征在于: 所述电容器还包括固定设置在第一喷金层(21)和/或第二喷金层(22)上的半导体制冷片(4)，所述半导体制冷片(4)包括用于吸热的冷端(8)和用于散热的热端(9)，所述半导体制冷片(4 )的冷端(8 )贴合在第一喷金层(21)或第二喷金层(22 )的表面上。2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于:所述半导体制冷片(4)的冷端通过导热硅胶粘贴在第一喷金层(21)或第二喷金层(22)的表面上。3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于:所述半导体制冷片(4)上设置有热端引出电极(5)，所述热端引出电极(5)与所述第一电容器引出电极(31)或第二电容器引出电极(32)电连接。4.如权利要求1至3任意一项所述的电容器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹兴良，杨玮，刘斯源，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：