制备源漏准SOI多栅结构器件的方法技术

本发明专利技术公布了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，包括：形成Fin条形状的有源区；形成STI氧化隔离层；形成多晶硅假栅结构；形成源漏延伸区结构；形成源漏准SOI结构；形成高k金属栅结构。本发明专利技术所述方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工艺方法实现，能够很容易地整合到工艺流程中，并且在较短沟道长度条件下，仍然能够保持较小的泄漏电流，从而降低器件的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，属于超大规模集成电路制造

技术介绍
当今半导体制造业在摩尔定律的指导下迅速发展，不断提高集成电路的性能和集成密度，同时需要尽可能的减小功耗。制备高性能，低功耗的超短沟器件是未来半导体制造业的焦点。当进入到22纳米技术节点以后，传统平面场效应晶体管由于日益严重的短沟道效应导致泄漏电流不断增加，不能满足半导体制造的发展。为了克服上述问题，多栅结构器件由于其优秀的栅控性能和输运特性，在克服短沟道效应的同时提高单位面积的驱动电流密度，因而逐渐引起广泛的关注。虽然由于多栅结构器件本身的特殊几何结构，使得其拥有出色的栅控性能，然而，当沟道尺寸缩小到一定程度之后，仍然会有较大的泄漏电流，这会严重影响到器件的功耗。使用SOI衬底可以减小泄漏电流，但是由于较高的成本和与原来体硅工艺的差异，因此，很少应用到大规模集成电路制造中。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对多栅结构器件在短沟长时仍然有较大泄漏电流的困难，提供了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法。该方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工艺方法实现，能够很容易地整合到工艺流程中，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，其特征是，包括如下步骤：1)形成Fin条形状的有源区，包括：1.1)在硅片表面淀积一层氧化硅和一层氮化硅，作为硬掩膜材料；1.2)通过光刻定义细条状的Fin条图形结构；1.3)通过干法刻蚀，将图形转移到硬掩膜上；1.4)利用硬掩膜，将图形转移到硅片上，并去掉光刻胶；2)形成STI氧化隔离层，包括：2.1)淀积一层氧化硅，作为STI材料；2.2)CMP氧化硅，并停止在氮化硅表面，并且使得氮化硅、氧化硅表面平坦化；2.3)通过湿法腐蚀，去掉氮化硅硬掩膜；2.4)通过干法刻蚀，回刻STI区域的氧化硅，形成STI；2.5)进行阱注入和阱退火；2.6)进行衬底寄生...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，樊捷闻，李佳，许晓燕，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：