【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法以及装备有薄膜晶体管的图像显示装置。
技术介绍
通过具有非晶硅或多晶硅沟道层的薄膜晶体管来驱动的有源矩阵FPD (平板显示器)是普通FPD的主流。高品质的非晶硅或多晶硅的生产需要大约300° C的高沉积温度。由于该原因，为了制造柔性器件，必须使用非常昂贵的高吸水性膜，即，很难与高热阻的聚胺亚酰膜共同使用的膜，作为它们的基板。近些年来，积极地研究利用有机半导体材料的薄膜晶体管。由于这种有机半导体材料可以在印刷工艺中制造，而不需要利用真空工艺，因此，潜在地可以降低成本制造它们。有机半导体材料还有一个优点是，它们可以安装在柔性塑料基板上。然而，有机半导体材料具有非常低的迁移率和低抗老化能力，因此他们不被广泛应用。在这样的情况下， 最近人们开始关注能够在低温下形成的金属氧化物半导体材料。在非专利文献I中公开了一种薄膜晶体管，其通过在PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)基板上形成非晶InGaZnO材料，一种在低温下可形成的金属氧化物半导体材料的实例，作为沟道层来制造，具有包括大约IOcmVVs的迁移率的优良特性。具有这种高迁移率的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.28 JP 2010-217410;2011.03.25 JP 2011-068141.一种薄膜晶体管，在绝缘基板上，至少包括: 栅电极； 栅极绝缘层； 源电极； 漏电极； 金属氧化物层，其包含半导体区和绝缘区，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层， 其中: 所述半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和栅电极中的每一个的一部分； 该半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与栅极绝缘层和绝缘保护层中的至少一层邻接； 与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的一部分，在其中含有氢原子，且将栅极绝缘层或绝缘保护层的该部分中含有的氢原子浓度设定在IXio2cVcm3至5X1022/cm3的范围内，包括端点值； 不与该半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的另一部分，在其中含有氢原子，且将栅极绝缘层或绝缘保护层的该另一部分中含有的氢原子浓度设定为低于lX102°/cm3。`2.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中: 栅电极形成在绝缘基板上； 栅极绝缘层形成在栅电极和绝缘基板上； 金属氧化物层形成在栅极绝缘层上； 源电极和漏电极形成在金属氧化物层上以与半导体区邻接； 绝缘保护层形成在源电极、漏电极和金属氧化物层上； 栅极绝缘层由邻接于金属氧化物层中的半导体区的第一栅极绝缘层和邻接于金属氧化物层中的绝缘区的第二栅极绝缘层组成； 第一栅极绝缘层中含有的氢原子浓度被设定在lX102°/cm3至5X1022/cm3的范围内，包括端点值； 第二栅极绝缘层中含有的氢原子浓度被设定为低于lX102°/cm3。3.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中: 第一栅极绝缘层由氮化硅组成。4.根据权利要求2或3的薄膜晶体管，其中: 第二栅极绝缘层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的任意一种。5.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中: 栅电极形成在绝缘基板上； 栅极绝缘层形成在栅电极和绝缘基板上； 金属氧化物层形成在栅极绝缘层上； 源电极和漏电极形成在栅极绝缘层上； 金属氧化物层形成在栅极绝缘层、源电极和漏电极上；绝缘保护层形成在源电极、漏电极和金属氧化物层上； 栅极绝缘层由邻接于金属氧化物层中的半导体区的第一绝缘保护层和邻接于金属氧化物层中的绝缘区的第二保护层组成； 第一绝缘保护层中含有的氢原子浓度被设定在lX102°/cm3至5X1022/cm3的范围内，包括端点值； 第二绝缘保护层中含有的氢原子浓度被设定为低于lX102°/cm3。6.根据权利要求5的薄膜晶体管，其中: 第一绝缘保护层由氮化硅组成。7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：今村千裕，原田由香里，小山浩晃，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：
国别省市：
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