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本发明公布了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，包括：形成Fin条形状的有源区；形成STI氧化隔离层；形成多晶硅假栅结构；形成源漏延伸区结构；形成源漏准SOI结构；形成高k金属栅结构。本发明所述方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工艺方...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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