本发明专利技术提供一种轧制铜箔，其具备低刚性，同时在再结晶退火工序后具有优异的弯曲特性。该轧制铜箔的平行于主表面的多个晶面的衍射峰强度为：I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≥0.50，(I{002}+I{113})/(I{111}+I{133})≥1.0，I{022}/I{002}≤8.0，I{022}/I{113}≤30，I{022}/I{111}≥7.0，I{022}/I{133}≥10，1.0≤I{002}/I{113}≤15，I{111}/I{133}≤10，I{113}/I{111}≥0.30，1.0≤I{002}/I{111}≤20，1.0≤I{002}/I{133}≤75，且0.50≤I{113}/I{133}≤20。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种轧制铜箔，特别涉及一种在柔性印刷配线板中使用的轧制铜箔。
技术介绍
柔性印刷电路板(FPC:Flexible Printed Circuit)由于具有厚度薄、可挠性优良的特性，因而，其对电子设备等的安装形态的自由度很高。因此，现在，折叠式移动电话的折弯部分、数码相机、打印机头等的活动部分、硬盘驱动器(HDD =Hard Disk Drive)、数字多功能磁盘(DVD:Digital Versatile Disk)、压缩盘(CD:Compact Disk)等有关盘的设备的活动部分的配线等使用了 FPC。因此，对作为FPC、其配线材料而使用的轧制铜箔要求优异的弯曲特性。FPC用轧制铜箔经过热轧、冷轧等工序来制造，通过粘接剂或通过加热等直接地贴合在由聚酰胺等树脂构成的FPC的基础膜(基材)上，实施蚀刻等表面加工而成为配线。通过退火后的再结晶而成为软化的状态与冷轧后的由加工硬化而成为硬质的状态相比，更显著地提高了轧制铜箔的弯曲特性。这里可以采用:例如在上述制造工序中，使用冷轧后的轧制铜箔，为了避免延伸、折皱等变形，将轧制铜箔裁断，叠合在基材上，之后，通过兼具轧制铜箔的再结晶退火的加热使得轧制铜箔与基材密合在一起进行一体化的制造方法。目前为止，以上述FPC的制造工序为前提，对在弯曲特性上优异的轧制铜箔、其制造方法进行了各种各样的研究，很多报告指出在轧制铜箔的表面作为立方体方位的{002}面({200}面)越发达，则提高弯曲特性。这里，例如在专利文献I中，在再结晶粒的平均粒径为5 μ m 20 μ m的条件下进行最终冷轧之前的退火，将最终冷轧的轧制加工度设为90%以上。由此，在对再结晶组织进行了调质的状态下，得到相对于微粉末铜的由X射线衍射而求出的(200)面的强度(Itl)轧制面的由X射线衍射求出的(200)面的强度(I)为1/1。> 20的立方体织构。另外，例如在专利文献2中，为了提高最终冷轧前的立方体织构的发达度，将最终冷轧的加工度设为93%以上，通过进一步实施再结晶退火，得到(200)的积分强度为I/10 ^ 40的、立方体织构显著发达的轧制铜箔。另外，例如在专利文献3中，将最终冷轧工序中的总加工度设为94%以上，且每I道次的加工度控制为15 50%。另外，通过再结晶退火，得到通过X射线衍射极点图测定而得到的轧制面的{111}面与{200}面的面内取向度Λ β为10°以下、且和的比为/ ^ 3的结晶粒取向状态，所述为将轧制面中的作为立方体织构的{200}面的进行了标准化的衍射峰强度，所述为与具有{200}面的孪晶关系的结晶区域进行了标准化的衍射峰强度。如此在以往技术中，通过提高最终冷轧工序的总加工度，使得再结晶退火工序后的轧制铜箔的立方体织构发达来试图提高弯曲特性。 现有技术专利文献专利文献1:日本专利第3009383号公报专利文献2:日本专利第3856616号公报专利文献3:日本专利第4285526号公报
技术实现思路
但是，如上述的专利文献I 3那样即使大量发展立方体织构，在作为多晶结构的轧制铜箔中，作为立方体织构的1002}面也不会占据100%。S卩，可以认为:在轧制铜箔中，{002}面以外的晶面未被抑制而是多个混杂在一起，具有这些多个晶面的结晶粒对轧制铜箔的各项特性会产生影响。另外，近年来伴随着电子设备的小型化、薄型化，从组装时的配线的装入容易度等的观点出发，相对于FPC用轧制铜箔，不仅要求高弯曲特性，而且也要求低刚性i m冬7性)(低反弹性(低反発性))的要求。本专利技术的目的在于提供一种在再结晶退火工序后具备低刚性且同时具有优异的弯曲特性的轧制铜箔。通过本专利技术的第I方式，提供一种轧制铜箔，是具备主表面、且具有与所述主表面平行的多个晶面的轧制铜箔，是最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔，所述多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面,通过对于所述主表面的由2 Θ /Θ法的X射线衍射测定而得到的所述各晶面的衍射峰强度分别为I {022}、I {002}、I {113}、I {111}和I {133}时，则，I {022}/ (I {022}+1 {002}+1 {113} + 1 {111} + 1 {133})≥0.50、(I {_ + 1 {113}) / (I {111} + 1 {133})≥1.0、I {022}/I {002}≤ 8.0、I {022}/1 {113} ≤30、I {022} /1 {111} ≥ 7.0、I {022} /1 {133} ≥ 10、1.0 ≤ I {002}/1(113} ≤15、I {111}/1 {133} ≤ I。、I {113)/1 {111} ≥ 0.30、1.0 ≤ I {002}/1 {111} ≤20、1.0 ≤ I {002}/I {133} ≤75、且 0.50 ≤ I {113}/1 {133} ≤ 20。通过本专利技术的第2方式提供一种第I方式记载的轧制铜箔，通过总加工度为90%以上的所述最终冷轧工序使得厚度为20 μ m以下。通过本专利技术的第3方式提供一种第I或第2方式记载的轧制铜箔，将纯度为99.96%以上的无氧铜或者纯度为99.9%以上的韧铜作为主成分。通过本专利技术的第4方式提供一种第I 第3方式记载的轧制铜箔，添加有银、硼、钛、锡的至少任何一种。通过本专利技术的第5方式提供一种第I 第4方式记载的轧制铜箔在柔性印刷配线板中的应用。根据本专利技术，在再结晶退火工序后，在具备低刚性的同时，具有优异的弯曲特性。附图说明图1是显示本专利技术一个实施方式所涉及的轧制铜箔制造工序的流程图。图2为本专利技术的实施例所涉及的轧制铜箔的弯曲特性的滑动弯曲试验装置的示意图。图3为表示本专利技术的实施例所涉及的轧制铜箔的刚性的试验方法的概要。图4为纯铜型金属的反极点图，(a)为显示因拉伸变形的结晶转动方向的反极点图，(b)为显示因压缩变形的结晶转动方向的反极点图。图5为显示最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔的结晶方位的反极点图。符号说明10 滑动弯曲试验装置11 试样固定板12 螺钉13 振动传达部14 振动驱动部21 压头板22 固定板S 试样片具体实施例方式本专利技术人所得到的见解如上述为了得到在FPC用途中所要求的高弯曲特性的轧制铜箔，使轧制面的立方体方位越发达越好。本 专利技术人也进行了使立方体方位的占有率增大的各种各样的实验。由到目前为止的实验结果确认出，在最终冷轧工序后存在的{022}面，如果通过其后的再结晶退火被调质成再结晶，则成为1002}面，即立方体方位。而另一方面，由于轧制铜箔为多晶，因此，轧制面整体不会是由一个晶面占100%，例如在最终冷轧工序后的状态下，混杂有多个作为主方位的{022}面以外的副方位的晶面。这里，本专利技术人着眼于到目前为止被认为无用的副方位的晶面，探讨了维持高的弯曲特性的同时，是否可以通过这些副方位的晶面而赋予新的性能。如这样的尖锐的研究结果，本专利技术人发现了，通过不使主方位的占有率减少来控制副方位的晶面的比率，可以对轧制铜箔赋予低刚性(低反弹性)作为新的附加价值。本专利技术为基于专利技术人所发现的上述见解的专利技术。本专利技术一个实施方式(I)轧制铜箔的构成首先，说明有关本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种轧制铜箔，具备主表面，且具有与所述主表面平行的多个晶面，是最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔，其特征在于，所述多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面，通过对所述主表面由2θ/θ法的X射线衍射测定而得到的所述各晶面的衍射峰强度分别为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133}时，为I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≥0.50，为(I{002}+I{113})/(I{111}+I{133})≥1.0，为I{022}/I{002}≤8.0，为I{022}/I{113}≤30，为I{022}/I{111}≥7.0，为I{022}/I{133}≥10，为1.0≤I{002}/I{113}≤15，为I{111}/I{133}≤10，为I{113}/I{111}≥0.30，为1.0≤I{002}/I{111}≤20，为1.0≤I{002}/I{133}≤75，且为0.50≤I{113}/I{133}≤20。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：室贺岳海，关聪至，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：
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