附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法技术

本发明专利技术涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。具体提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明专利技术的附载体铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层，且附载体铜箔的极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO 25178的最大峰高度Sp为0.193～3.082μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。
技术介绍
印刷配线板通常是经过如下步骤制造，该步骤是在将绝缘基板接着于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻而在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，而对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频应对等。应对于微间距化，目前业界要求厚度9μm以下、进一步厚度为5μm以下的铜箔，但此种极薄铜箔由于机械强度低，而制造印刷配线板时容易发生破损或产生皱褶，所以利用具有厚度的金属箔作为载体，并于其上隔着剥离层电沉积极薄铜层而成的附载体铜箔问世。在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板并热压接后，载体经由剥离层而被剥离去除。在露出的极薄铜层上利用抗蚀剂形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除，通过所述方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process(改良型半加成法))形成微细电路。此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面，主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充足、并且该剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学药品处理等后也充足地保持。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法，通常具代表性的是使大量粗化粒子附着在增大了表面分布(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上的方法。然而，在印刷配线板中，如果尤其在必须形成微细电路图案的半导体封装基板中使用此种分布(凹凸、粗糙度)大的极薄铜层，则电路蚀刻时会残留不需要的铜粒子，产生电路图案间绝缘不良等问题。因此，在WO2004/005588号(专利文献1)中，作为以半导体封装基板为首的微细电路用途的附载体铜箔，业界尝试使用未对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体铜箔。未实施此种粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性(剥离强度)有因该低分布(凹凸、粗度、粗糙度)的影响而与一般的印刷配线板用铜箔相比密合性降低的倾向。因此，对附载体铜箔要求进一步的改善。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：W02004/005588号
技术实现思路
[专利技术欲解决的课题]在附载体铜箔的开发时，迄今为止重视确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度。因此，关于能够良好用于适合印刷配线板的高密度安装化的微细电路形成用途的附载体铜箔尚未得到充足研究，仍残留改善的余地。因此，本专利技术的课题在于提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。[解决课题的技术手段]关于适合微细电路形成用途的附载体铜箔，虽考虑到提高附载体铜箔的极薄铜层侧表面的平滑性或形成微细粗化粒子，但本专利技术者等人更深层地进行以下研究。即，为了进一步提高微细电路形成性，重要的是彻底研究电路形成时的快速蚀刻(フラッシュエッチング)的时间缩短，为此，发现有效的是使“进行电路形成的层厚范围”缩小。关于该“进行电路形成的层厚范围”，表示由载体及极薄铜层(主体)的起伏产生的主体最大厚度范围，或在极薄铜层形成有粗化粒子的情况下，表示该主体的起伏与形成在极薄铜层的粗化结核的径长相加后的最大厚度范围。为了使所述进行电路形成的层厚范围缩小，本专利技术者等人进行了诚恳地研究，结果着眼于附载体铜箔的极薄铜层侧表面规定的表面性状，发现通过将该规定的表面性状控制在规定范围，可以使所述进行电路形成的层厚范围缩小，由此实现微细电路形成性良好。本专利技术是基于所述知识见解而完成，一形态是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp为0.193～3.082μm。本专利技术在另一形态中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的核心部高度差Sk为0.097～0.937μm。本专利技术在又一形态中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的突出峰部高度Spk为0.059～0.470μm。本专利技术在又一形态中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。本专利技术在又一形态中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739。本专利技术的附载体铜箔在一实施方式中，当本专利技术的附载体铜箔从载体观察时在载体的一面侧依序具有中间层及极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层，或者当本专利技术的附载体铜箔从载体观察时在载体的两面侧依序具有中间层及极薄铜层的情况下，在该极薄铜层侧的一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。本专利技术的附载体铜箔在另一实施方式中，所述粗化处理层是由下述的材料组成的层，所述材料为选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上所述单质的合金。本专利技术的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。本专利技术的附载体铜箔在又一实施方式中，在选自由所述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。本专利技术在又一形态中是一种积层体，是使用本专利技术的附载体铜箔而制造。本专利技术在又一形态中是一种积层体，其含有本专利技术的附载体铜箔与树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。本专利技术在又一形态中是一种积层体，其是将一个本专利技术的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧，积层在另一个本专利技术的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。本专利技术在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其使用本专利技术的积层体。本专利技术在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：在本专利技术的积层体的任一面或两面进行至少1次设置树脂层与电路这2层的步骤；及在进行至少1次形成所述树脂层及电路这2层之后，将所述极薄铜层或所述载体从构成所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。本专利技术在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其使用本专利技术的附载体铜箔。本专利技术在又一形态中是一种电子机器的制造方法，其使用利用本专利技术的方法制造的印刷配线板。本专利技术在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：准备本专利技术的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成电路的步骤。本专利技术在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：在本专利技术的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO 25178的最大峰高度Sp为0.193～3.082μm。

【技术特征摘要】
2015.08.06 JP 2015-1565271.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp为0.193～3.082μm。2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的核心部高度差Sk为0.097～0.937μm。3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的突出峰部高度Spk为0.059～0.470μm。4.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的突出峰部高度Spk为0.059～0.470μm。5.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。6.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。7.根据权利要求3所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。8.根据权利要求4所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。9.根据权利要求1至8中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739。10.根据权利要求9所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层侧表面中，满足以下的10-1～10-5的项目中的任一个或两个或三个或四个或五个；·10-1：由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp满足以下的10-1a～10-1c中的任一个；10-1a：2.4μm以下、10-1b：1.53μm以下、10-1c：0.700μm以下；·10-2：由激光显微镜测定的依据ISO25178的核心部高度差Sk满足以下的10-2a～10-2c中的任一个；10-2a：0.80μm以下、10-2b：0.51μm以下、10-2c：0.37μm以下；·10-3：由激光显微镜测定的依据ISO25178的突出峰部高度Spk满足以下的10-3a～10-3c中的任一个；10-3a：0.217μm以下、10-3b：0.170μm以下、10-3c：0.140μm以下；·10-4：由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp满足以下的10-4a～10-4d中的任一个；10-4a：0.018μm3/μm2以下、10-4b：0.010μm3/μm2以下、10-4c：0.008μm3/μm2以下、10-4d：0.006μm3/μm2以下；·10-5：由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk满足以下的10-5a～10-5c中的任一个；10-5a：8.41以下、10-5b：7.00以下、10-5c：5.825以下。11.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的核心部高度差Sk为0.097～0.937μm。12.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的突出峰部高度Spk为0.059～0.470μm。13.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。14.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。15.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739。16.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739。17.根据权利要求13所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739。18.根据权利要求14所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739。19.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的突出峰部高度Spk为0.059～0.470μm。20.根据权利要求19所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的峰部的实体体积Vmp为0.003～0.024μm3/μm2。21.根据权利要求19所述的附载体铜箔，其中，所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO25178的最大峰高度Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739。22....

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本宣明，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP