清洁液组合物及其浓缩液和使用清洁液组合物的清洁方法技术

本发明专利技术提供一种在半导体元件等电子设备的制造工艺中对金属杂质和微粒的除去性能优异且不腐蚀Cu，对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物。所述清洁液组合物为对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物，包括一种或两种以上的不含金属的碱性化合物以及一种或两种以上膦酸类螯合剂，且氢离子浓度(pH)为8～10。本发明专利技术还提供上述清洁液组合物的浓缩液，以及使用该清洁液组合物的清洁方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在电子设备的清洁中使用的清洁液组合物。更详细地，本专利技术涉及一种在半导体元件等电子设备的制造工艺中，在对进行了研磨处理、蚀刻处理、化学机械研磨(以下称为“CMP”)处理等的金属材料表面、特别是含有铜配线的半导体基板的清洁中使用的清洁液，以及使用该清洁液的该电子设备的清洁方法。
技术介绍
随着IC的高集成化，微量的杂质对设备的性能和产率具有较大的影响，因此要求严格的污染控制。也就是说，要求对基板的污染进行严格控制，为此在半导体制造的各个工艺中使用各种清洁液。一般地，作为半导体用基板清洁液，为了除去粒子污染，使用作为碱性清洁液的氨水-过氧化氢水溶液-水(SC-1)，为了除去金属污染,使用作为酸性清洁液的硫酸-过氧化氢水溶液、盐酸-过氧化氢水溶液-水(SC-2)、稀氟酸等，根据目的单独或组合使用各种清洁液。另一方面，随着设备的微细化和多层配线构造化的发展，在各个工艺中，追求基板表面更加致密的平坦化，在半导体制造工艺中作为新技术引入了在供给研磨粒子和化学药品的混合物浆料的同时，使用称为软皮(〃 7 )的研磨布压接晶片，通过旋转同时利用化学作用和物理作用，对绝缘膜和金属材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁液组合物，所述清洁液组合物为对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物，所述清洁液组合物包括一种或两种以上的不含金属的碱性化合物以及一种或两种以上的膦酸类螯合剂；且pH为8～10。

【技术特征摘要】
2011.12.06 JP 2011-2673681.一种清洁液组合物，所述清洁液组合物为对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物，所述清洁液组合物包括一种或两种以上的不含金属的碱性化合物以及一种或两种以上的膦酸类螯合剂；且pH为8 10。2.根据权利要求1所述的清洁液组合物，其中所述含有铜配线的半导体基板为化学机械研磨后的基板。3.根据权利要求1或2所述的清洁液组合物，其中所述不含金属的碱性化合物为季铵化合物或直链脂肪族胺。4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洁液组合物，其中所述清洁液组合物不含过氧化氢水溶液。5.根据权利要求1至4中任一项所述的清洁液组合物，其中所述清洁液组合物不含抗坏血酸。6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洁液组合物，其中所述清洁液组合物不含羧酸类螯合剂。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口优美子，守田菊恵，堀家千代子，大和田拓央，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：