TFT-LCD阵列基板、制造方法及驱动方法技术

本发明专利技术提供一种TFT-LCD阵列基板、制造方法及驱动方法，通过将第一公共电极总线设置于显示区域，降低了此处公共电极线的RC?Delay问题，从而提高了显示屏的显示效果。进一步的，在本发明专利技术提供的TFT-LCD阵列基板的驱动方法中，令显示电压的的正负极性关于第一公共电极总线对称，且位于所述第一公共电极总线每一侧的显示电压以点反转方式提供。当外部信号对公共电极线发生干扰时，降低公共电极线上的电压偏差量，提高显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器
，特别涉及一种TFT-1XD阵列基板、制造方法及驱动方法。
技术介绍
TFT-1XD(薄膜晶体管液晶显示器)具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，在当前的显示器市场占据了主导地位。其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备中。TFT-1XD最基本的构件之一是显示屏，所述显示屏包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，以及充满在阵列基板和彩膜基板之间的间隙内的液晶层。所述显示屏显示图像的基本原理是:通过在所述阵列基板和彩膜基板上施加作用于液晶层上的电场，控制所述液晶层分子的取向，从而控制穿透过液晶层分子的照射光线的多少，即达到调制通过液晶层的光强的目的。具体的，请参考图1，其为现有的TFT-LCD阵列基板的结构示意图。如图1所示，阵列基板包括:多条栅极线(G1、G2、G3);与所述栅极线(G1、G2、G3)平行设置的多条公共电极线(V1、V2);与所述栅极线(G1、G2、G3)交叉设置的多条数据线(S1、S2、S3、S4);所述栅极线(G1、G2、G3)与数据线(S1、S2、S3、S4)交叉位置设置有薄膜晶体管(Tl、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8);多个像素电极(D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8);所述薄膜晶体管的栅极与栅极线连接、源极与数据线连接，漏极与像素电极连接。彩膜基板上同样设置有公共电极线，通常，彩膜基板上的公共电极线覆盖整个彩膜基板的显示区域，其与阵列基板上的公共电极线通过非显示区域的公共电极总线连接，并通过该非显示区域的公共电极总线提供公共电压。请参考图2,其为现有的TFT-1XD显示屏的电路等效示意图。如图2所示,显示屏上的每一个像素可等效成液晶电容Cu和存储电容Cstg的并联结构，液晶电容Cu和存储电容Cstg的一侧电极与像素电极连接，另一侧与公共电极线连接。具体的，液晶电容Cu与彩膜基板上的公共电极线连接，存储电容Cstg与阵列基板上的公共电极线连接。通过控制所述液晶电容Cm和存储电容Cstg,便可控制TFT-LCD显示屏的显示亮度等，即通过控制像素电极与公共电极线的输入电压，便可控制TFT-LCD显示屏的显示亮度等，而所述像素电极的电压通过数据线的输入数据加以确定。为了防止液晶在直流电场下的老化，需要对液晶两端的电荷的极性不断地变化。请参考图3a 3d，其为现有的TFT-1XD显示屏的驱动方式示意图。如图3a 3d所示，现有的TFT-LCD显示屏的驱动方式包括:巾贞反转驱动(Frame Inversion)(如图3a所示)、行反转驱动(Line Inversion)(如图3b所示)、列反转驱动(Column Inversion)(如图3c所示)和点反转驱动(Dot Inversion)(如图3d所示)。其中”表示数据线通过薄膜晶体管对子像素的液晶电容和存储电容Cstg充电，最后的电压高于彩膜基板上公共电极线电压，就相当于像素的像素电极端充了正电荷；反之，表示像素电极端充了负电荷。目前常用的驱动方式为点反转方式，固定公共电极线电压，即向公共电极线提供一固定的电压值，改变像素电极端电压实现。作为存储电容Cstg —侧公共电极线的电压通过设置于非显示区域的公共电极总线来提供，由于公共电极线具有一定的长度，由此远离公共电极总线的部分公共电极线位置(通常处于显示区域中间位置)往往由于比较明显的RC Delay的问题，当外部信号对公共电极线发生干扰时，此处容易发生电压偏差，从而影响显示效果。TFT-1XD显示屏的每个像素可以用RGB三个子像素表示，通过RGB三个子像素的显示亮度可以表现像素的灰阶等。假设TFT-1XD显示屏的分辨率为mXn，一般m和η为偶数，则每一行总子像素数量为3m。请参考图4，其为特殊灰阶黑白画面的点反转驱动方式示意图，图中RGB子像素的重复单元简图，RGB 一个重复单元为6个RGB子像素，其中最左侧的RGB子像素显示为全电压，而紧接着的RGB子像素显示为半电压，以下显示以此类推。如图4所示，在此种显示方式下，每一行所有子像素对公共电极线的干扰的电荷总量为:+Q-Q+Q-Q/2+Q/2-Q/2......= +mQ/4,即电荷总量不为零，由此，往往将使得公共电极线上的电压发生偏差，从而画面产生偏绿现象，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT-1XD阵列基板、制造方法及驱动方法，以解决现有的TFT-1XD阵列基板的显示区域中间位置RC Delay比较明显的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种TFT-LCD阵列基板，包括:基板，所述基板包括显示区域与非显示区域；位于所述基板上的多条栅极线及与所述栅极线平行设置的多条公共电极线；位于所述栅极线之上的多条数据线，所述数据线与所述栅极线交叉设置；位于所述公共电极线之上的第一公共电极总线，所述第一公共电极总线与所述公共电极线交叉设置，且与所述公共电极线电连接，所述第一公共电极总线位于显示区域。可选的，在所述的TFT-1XD阵列基板中，所述第一公共电极总线的数量为一根，且位于显示区域的1/2处。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一公共电极总线的数量为多根。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一公共电极总线的数量为三根，分别位于显示区域的1/4处、1/2处及3/4/处。可选的，在所述的TFT-1XD阵列基板中，还包括开关元件，所述开关元件位于所述数据线与所述栅极线交叉处，且关于1/2处的第一公共电极总线对称设置。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一公共电极总线通过接触孔与所述公共电极线电连接。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述数据线与第一公共电极总线位于同一金属层。可选的，在所述的TFT-1XD阵列基板中，还包括位于所述公共电极线之上的第二公共电极总线，所述第二公共电极总线与所述公共电极线交叉设置，且与所述公共电极线电连接，所述第二公共电极总线位于非显示区域。本专利技术还提供一种TFT-1XD阵列基板的制造方法，包括:提供基板，所述基板包括显示区域与非显示区域；在所述基板上形成多条栅极线及与所述栅极线平行的多条公共电极线；在所述栅极线之上形成多条数据线，所述数据线与所述栅极线交叉设置；在所述公共电极线之上形成第一公共电极总线，所述第一公共电极总线与所述公共电极线交叉设置，且与所述公共电极线电连接，所述第一公共电极总线位于显示区域。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，所述第一公共电极总线的数量为一根，且位于显示区域的1/2处。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，所述第一公共电极总线的数量为多根。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，所述第一公共电极总线的数量为三根，分别位于显示区域的1/4处、1/2处及3/4/处。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，在形成栅极线的同时形成栅极，在形成数据线的同时形成源极及漏极，以在所述数据线与所述栅极线交叉处形成开关元件，所述开关元件关于1/2处的第一公共电极总线对称设置。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，所述第一公共电极总线通过接触孔与所述公共电极线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT?LCD阵列基板，其特征在于，包括：基板，所述基板包括显示区域与非显示区域；位于所述基板上的多条栅极线及与所述栅极线平行设置的多条公共电极线；位于所述栅极线之上的多条数据线，所述数据线与所述栅极线交叉设置；位于所述公共电极线之上的第一公共电极总线，所述第一公共电极总线与所述公共电极线交叉设置，且与所述公共电极线电连接，所述第一公共电极总线位于显示区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹兆铿，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：