【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子注入机中一种扫描抑制电极的装置。
技术介绍
离子注入机是半导体エ艺中离子掺杂的典型设备,离子源产生需要掺杂的离子束,通过引出电极,引出离子源的离子束,在经过加速管,提供离子束所需要的能量,分析器分离出需要的离子束,其他的离子被筛选出来,扫描板是提高离子束流质量的关键部分,扫描由两块对称的喇叭形电极板组成,两块电极板上所加扫描电压(偏转电压)相位相差180°。该扫描系统为对称扫描,即以中心对称向两边扫开。不需要的离子最終会偏离离子束运动轨道,打到扫描抑制电极上,扫描抑制电源接到扫描抑制电极上,扫描抑制电源在负输出的直流高压电源的基础上增加了ー个2.5mA的恒流泄放,2.5mA的恒流泄放是由一正IOKV高压电源和4M大功高压电阻构成,,正IOKV高压电源工作在2.5mA的恒流模式。
技术实现思路
本实专利技术通过以下技术方案实现:扫描抑制电极和电极支撑分别如图1、图2所示。通过销孔(5)固定电极支撑,石墨电极⑶的沉孔⑴与电极支撑的通孔⑷共同固定石墨电极(3),定位销(6)用于电极定位,保证电极稳固。引束出口(2)提供离子运动通道,被筛选出的离子将打到抑 ...
【技术保护点】
如权利要求1所述的石墨电极(3)的沉孔(1)与电极支撑的通孔(4)固定石墨电极(3)。
【技术特征摘要】
1. 一种扫描抑制电极的装置。包括:沉孔(I)、引束出口(2)、石墨电极(3)、通孔⑷、销孔(5)、定位销(6)。其特征在于:如权利要求1所述的石墨电极⑶的沉孔⑴与电极支撑的通孔...
【专利技术属性】
技术研发人员:林萍,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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