基于超材料与半导体低维量子材料的复合结构及其应用制造技术

本发明专利技术提供的基于超材料与半导体低维量子材料的复合结构，其由自下而上排列的衬底（1）、缓冲层（2）、半导体低维量子材料（3）、半导体隔层材料（4）、超材料（5）组成，所述超材料（5）是周期排布的金属线阵列、周期排布的金属开口谐振环阵列或者渔网结构；所述半导体隔层材料（4）的厚度为5～50纳米。本发明专利技术同时利用了半导体低维量子材料的光增益以及半导体材料对光信号的高速响应特性，具有补偿超材料损耗，调控超材料性能的双重功能；在外加控制光或者泵浦光的情况下，这种基于超材料与半导体低维量子材料的复合结构可以实现全光开关或者全光波长转换的功能，而且具有大消光比的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于超材料与半导体低维量子材料的复合结构，其特征是由自下而上排列的衬底（1）、缓冲层（2）、半导体低维量子材料（3）、半导体隔层材料（4）、超材料（5）组成，所述超材料（5）是周期排布的金属线阵列、周期排布的金属开口谐振环阵列或者渔网结构；所述半导体隔层材料（4）的厚度为5～50纳米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄黎蓉，孙荣，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：