用于晶体生长的系统和方法技术方案

技术编号:8761561 阅读:174 留言:0更新日期:2013-06-06 23:12
本发明专利技术涉及用于晶体生长的系统和方法。提供一种用于晶体生长的系统和方法。一种方法包括在其中具有坩埚的炉中产生横向热廓线,坩埚包含用于生成晶体的材料。横向热廓线具有三个区,其中,第一区和第三区分别具有高于和低于材料的熔点的温度,并且第二区具有多个温度,至少一个温度等于材料的熔点。该方法进一步包括使横向热廓线与在炉中产生的竖向热梯度组合,其中,竖向热梯度使坩埚的底部中的位于第三区中的点为坩埚中的最冷的点。该方法还包括将热从第一区和第二区传递到第三区,以产生界面的前缘。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于构造系统以生成晶体的方法,所述方法包括:提供坩埚,所述坩埚具有第一容积,以在其中接纳用于生成晶体的材料;将炉构造成包含所述坩埚,以及产生具有第一区、第二区和第三区的横向热廓线,其中,所述第一区和所述第三区分别具有高于和低于所述材料的熔点的温度,并且所述第二区具有多个温度,至少一个温度等于所述材料的熔点,并且包含所述材料的固体?液体界面;将所述炉构造成还产生竖向热梯度以及使所述横向热廓线与所述竖向热梯度组合,其中,所述竖向热梯度使所述坩埚的底部中的位于所述第三区中的点为所述坩埚中的最冷点;以及将热传递装置构造成联接到所述坩埚上,以将热从所述第一区和所述第二区传递到所述第三区而产生所述界面的前缘,以在所述前缘中产生基本单个成核中心。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:A沙哈E特劳布P鲁西安JC罗霍
申请(专利权)人:通用电气公司
类型:发明
国别省市:

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