一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法技术

技术编号:8761477 阅读:282 留言:0更新日期:2013-06-06 23:10
本发明专利技术属于半导体制备技术领域,提供了一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法,该方法在蓝宝石衬底上依次生长GaN和Cu薄层,进而在Cu薄层上CVD淀积石墨烯,同时通过改变GaN薄层的生长厚度和激光波长能量,利用激光剥离衬底,实现石墨烯高效转移;该方法生长转移获得石墨烯时,节省了金属箔的使用,缩短了腐蚀金属所需要的时间,所得石墨烯的质量较高,该方法采用的激光剥离技术,可高效无损的使石墨烯与衬底分离,同时采用很薄的Cu金属膜,可用较短时间彻底去除,消除了Cu杂质对石墨烯的影响,实用性强,具有较强的推广与应用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法,其特征在于,该方法在蓝宝石衬底上依次生长GaN和Cu薄层,进而在Cu薄层上CVD淀积石墨烯,同时通过改变GaN薄层的生长厚度和激光波长能量,利用激光剥离衬底,实现石墨烯高效转移。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:闫景东王东宁静柴正韩砀张进成郝跃
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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