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本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法，该方法在蓝宝石衬底上依次生长GaN和Cu薄层，进而在Cu薄层上CVD淀积石墨烯，同时通过改变GaN薄层的生长厚度和激光波长能量，利用激光剥离衬底，实现石墨烯高...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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