【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属化前电介质层的制作方法，提供具有NMOS器件结构的晶片，所述晶片的器件面上沉积氧化硅层，化学机械研磨所述氧化硅层后，其特征在于，该方法还包括：所述氧化硅层进行第一等离子体处理，形成具有张应力的金属化前电介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张彬，邓浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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