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本发明提供了一种金属化前电介质层的制作方法，该方法在沉积和化学机械研磨氧化硅层后，对氧化硅层进行等离子体处理在氧化硅层中形成张应力，更进一步制作氧化硅材料的盖层并进行第二次等离子体处理，通过制作具有张应力的金属化前电介质层和盖层，使张应力作...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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