切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明专利技术的切割-芯片焊接一体型膜具备：基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，粘接剂层的平面形状为圆形，粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小，粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及刀片切割用的切割-芯片焊接(die bonding) —体型膜、切割-芯片焊接一体型膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法。
技术介绍
以往，在半导体芯片与半导体芯片用的支撑构件的接合中主要使用糊状的粘接齐U。但是，在使用糊状的粘接剂时，存在粘接剂从半导体芯片的被挤出、半导体芯片被倾斜地粘接等不良、控制膜厚的困难性等问题。为了解决这样的问题，近年来，代替糊状粘接剂的膜状粘接剂备受瞩目(例如，参照下述专利文献I 3)。作为该膜状的粘接剂的使用方法，有晶片背面贴附的方式。在晶片背面贴附方式中，首先，将膜状粘接剂层贴附于半导体晶片的背面后，使形成有粘合剂层的切割用基材片贴合于粘接剂层的另一面。之后，切割半导体晶片，得到单片化的半导体芯片。单片化的半导体芯片被拾取(pick up)后，移至焊接(bonding)工序。因此,要求切割用基材片的粘合剂层具有粘接剂层不会因随切断半导体晶片所产生的负荷而飞溅的程度的粘合力，但在拾取半导体芯片时，要求能够容易地拾取带粘接剂层的半导体芯片而在各半导体芯片上无粘合剂残留。此外，用于晶片背面贴附方式的切割带具有UV型和压敏型。为UV型的切割带时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割‑芯片焊接一体型膜，其特征在于，其具备基材膜、形成在所述基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环的压敏型的粘合剂层、形成在所述粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，所述粘接剂层的平面形状为圆形，所述粘接剂层的面积比所述半导体晶片的面积大，并且比所述基材膜及所述粘合剂层的各自的面积都小，所述粘接剂层的直径比所述半导体晶片的直径大，并且比所述晶片环的内径小，所述粘接剂层的直径与所述半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤理绘，松崎隆行，加藤慎也，古谷凉士，作田龙弥，小森田康二，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP