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本发明的目的在于，抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明的切割-芯片焊接一体型膜具备：基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上...
该专利属于日立化成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立化成株式会社授权不得商用。

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