一种二氯二氢硅除杂设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二氯二氢硅除杂设备，包括提纯塔，所述提纯塔包括：填料提纯区和吸附区，所述吸附区设在所述填料提纯区上方且所述吸附区内配置有吸附剂，以对所述气相二氯二氢硅进行精提纯来除去其中的杂质。根据本实用新型专利技术示例的二氯二氢硅除杂设备，首先通过粗提纯的将沸点较低的二氯二氢硅汽化分离出来，再通过吸附剂除去气态二氯二氢硅中的硼、磷、以及金属杂质，得到高纯二氯二氢硅，该除杂设备结构简单，投资少，能耗低，且得到产物二氯二氢硅纯度较高，产品质量好，可以带来一定经济效益。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅生产
，更具体地，本技术涉及一种二氯二氢硅除杂设备。
技术介绍
多晶硅是集成电路和光伏发电用关键原材料，是《国家中长期科学和技术发展规划纲要》制造业领域基础原材料优先主题的重要内容。世界多晶硅生产的产业化技术主要有两种工艺，即改良西门子工艺和硅烷法工艺。改良西门子法生产多晶硅的过程中，会产生部分的二氯二氢硅。这种物质存在易燃、易爆、沸点低的特点，如果不得到有效的回收利用，则会进入多晶硅尾气系统，造成尾气负荷大，安全事故频发的问题。针对二氯二氢硅的性质，现在国内外已经有部分厂家采用歧化技术将二氯二氢硅转化为三氯氢硅，重新返回多晶硅系统利用。这在一定程度上缓解了二氯二氢硅带来的负面影响。随着对改良西门子工艺的进一步研究，发现质量高纯的二氯二氢硅能够与三氯氢硅混合后，直接送入还原炉生长多晶硅，且能够极大提高多晶硅的生长速率，降低多晶硅还原电耗。针对这一发现，有部分厂家在积极开展二氯二氢硅还原的技术研究，但在研究过程中发现，二氯二氢硅属于低沸物，含有大量的B、P等杂质，导致二氯二氢硅产品质量难以保证，导致多晶硅产品质量出现很大滑坡。为了解决二氯二氢硅产品质量问题，国内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二氯二氢硅除杂设备，其特征在于，包括提纯塔，所述提纯塔包括：?填料提纯区，所述填料提纯区设有将待除杂的液相二氯二氢硅输送进所述提纯塔内的进料口，所述填料提纯区对由所述进料口提供的液相二氯二氢硅进行粗提纯，得到气相二氯二氢硅和液态高沸物；和?吸附区，所述吸附区设在所述填料提纯区上方且所述吸附区内配置有吸附剂，以对所述气相二氯二氢硅进行精提纯来除去其中的杂质，其中，?所述填料提纯区的下方设有进气口，通过所述进气口向所述提纯塔内提供气相的二氯二氢硅，?所述吸附区的上方设有出气口，以将经精提纯的气相二氯二氢硅排出所述提纯塔。

【技术特征摘要】
1.种二氯二氢硅除杂设备，其特征在于，包括提纯塔，所述提纯塔包括: 填料提纯区，所述填料提纯区设有将待除杂的液相二氯二氢硅输送进所述提纯塔内的进料口，所述填料提纯区对由所述进料口提供的液相二氯二氢硅进行粗提纯，得到气相二氯二氢硅和液态高沸物；和 吸附区，所述吸附区设在所述填料提纯区上方且所述吸附区内配置有吸附剂，以对所述气相二氯二氢硅进行精提纯来除去其中的杂质，其中， 所述填料提纯区的下方设有进气口，通过所述进气口向所述提纯塔内提供气相的二氯二氢硅， 所述吸附区的上方设有出气口，以将经精提纯的气相二氯二氢硅排出所述提纯塔。2.据权利要求1所述的二氯二氢硅除杂设备，其特征在于，所述提纯塔还具有: 排液口，所述排液口设在所述提纯塔的底部以将所述液态高沸物排出所述提纯塔。3.据权利要求2所述的二氯二氢硅除杂设备，其特征在于，还包括: 再沸器，所述再沸器与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：万烨，严大洲，毋克力，肖荣辉，汤传斌，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：