【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
对于由制造发光二极管的现有技术已知的方法，在线状H形元件上放置发光二极管的有源元件，该发光二极管称为发光二极管芯片或管芯或LED芯片或管芯。在发光二极管芯片的第一端子与H形元件的上端之间制造电连接。之后，例如，通过现有技术已知的金线接合法来将发光二极管芯片的第二端子连接到H形元件的第二上端。然后，将其上设置有发光二极管芯片的H形元件的上端设置在透镜铸造体中，利用铸造化合物填充透镜铸造体来制造透镜体。在制造透镜体之后，在类似焊接的工艺中去除H形元件的连接横档(crosspiece),以便消除短路。为了提高发光效率，可以使用反射体，该反射体在制造透镜体之前设置在发光二极管芯片附近。由于发光二极管芯片不辐射所有颜色，而发出离散的光波长，为了转换成白光，例如，必须利用荧光材料(例如磷)来改变频率。通常将这种磷与用于制造透镜体的铸造化合物混合。所述方法在将发光二极管芯片定位在H形元件上时需要高精度。此外，在发光二极管芯片的第二端子与H形元件的第二上端之间制造连接非常费劲。由于制造方法复杂，所以由已知方法的发光二极管的生产率受到限制。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.14 DE 102010031302.51.一种用于制造发光二极管(2)的半成品(1)，包括: 柔性支承材料(3)， 第一和第二接触区(4，5)，设置在所述支承材料(3)上，用于制造电连接， 发光二极管芯片(6)或用于发光二极管芯片(6)的固定器，设置在所述支承材料(3)上， 可折叠片(7)，形成到所述支承材料(3)中，设置所述片(7)使其能够朝向所述发光二极管芯片(6)折叠和/或折叠到所述发光二极管芯片(6)上， 在所述可折叠片(7)上设置有至少一个第一电连接网(8)，所述第一电连接网(8)连接到所述第一接触区(4)并能够通过折叠所述片(7)而连接到所述发光二极管芯片(6)的第一端子。2.根据权利要求1所述的半成品(1)，所述第二接触区(5)通过第二电连接网(9)连接到所述发光二极管芯片(6)的第二端子。3.根据权利要求1所述的半成品(1)，在所述可折叠片(7)上设置有第二电连接网(9)，所述第二电连接网(9)连接到所述第二接触区(5)并能够通过折叠所述片(7)而连接到所述发光二极管芯片(6)的第二端子。4.一种用于制造发光二极管(2)的半成品(1)，包括: 柔性支承材料(3)， 第一和第二接触区(4，5 )，设置在所述支承材料(3 )上，用于制造电连接， 所述支承材料(3)上的第一和第二电连接网(8，9)，所述网分别连接到所述第一和第二接触区(4，5)， 可折叠片(7)，形成到所述支承材料(3)中， 设置在所述片(7)上的发光二极管芯片(6)，或设置在所述片(7)上的用于发光二极管芯片(6)的固定器， 设置所述片(7 )以及所述第一和第二连接网(8，9 )，使得所述发光二极管芯片(6 )的第一和第二端子分别通过折叠所述片(7)而连接到所述第一和第二连接网(8，9)。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半成品(I)，在所述折叠之后通过粘合剂将所述片(7 )固定在所述发光二极管芯片(6 )上。6.根据权利要求5所述的半成品(I)，所述粘合剂含有磷化合物，以便转换由所述发光二极管芯片(6)福射的福射的频率。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半成品(1)，所述片(7)相对于所述发光二极管芯片(6)发出的辐射至少是部分透明的。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半成品(1)，所述片(7)含有磷化合物，以便转换由所述发光二极管芯片(6)辐射的辐射的频率。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半成品(1)，例如通过铝的放置、气相沉积或溅射，在所述片(7)上设置用于由所述发光二极管芯片(6)辐射的辐射的反射器。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半成品(I)，所述第一和第二接触区(4，5)分别连接到接触引脚(10，11)。11.根据权利要求1至9中的任一项所述的半成品(1)，设置在所述支承...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·阿宁，M·迈德尔，
申请(专利权)人：赢创高施米特有限公司，
类型：
国别省市：
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