发射辐射的器件制造技术

提出了一种发射辐射的器件，其具有半导体本体（1），半导体本体（1）在工作中从辐射出射面（2）发射电磁辐射。半导体本体布置在带有凹进部（4）的器件壳体（5）中。此外，该器件包括光学元件（8），其与接合层（9）在机械上稳定地与器件壳体（5）连接，其中接合层（9）具有小于或等于30MPa的弹性模量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
提出了一种发射辐射的器件。
技术实现思路
本专利技术的技术问题是提出一种发射辐射的器件，其尤其具有良好的温度变化稳定性。该技术问题通过具有权利要求1所述的特征的发射辐射的器件来解决。本专利技术的有利的改进方案和实施形式在从属权利要求中予以说明。发射辐射的器件尤其包括: -半导体本体，该半导体本体在工作中从辐射出射面发射电磁辐射， -器件壳体，该器件壳体包括半导体本体， -光学元件，其利用接合层(Fiigeschicht)材料配合地与器件壳体连接,其中接合层具有小于或等于30MPa、优选小于或等于IOMPa的弹性模量。特别优选地，光学元件是独立制造的器件。通常，光学元件设置为使得由半导体本体发射的辐射的大部分穿过光学元件出射。通常，接合层和光学元件形成共同的界面。特别优选地，接合层的主面与半导体本体的辐射出射面平行地布置。此外，接合层的主面优选与光学元件的辐射出射面平行地布置。特别优选地，由半导体本体从其辐射出射面发射的光的大部分穿过接合层出射。优选地，接合层还具有小于或等于A90的肖氏硬度，特别优选小于或等于A45的肖氏硬度。发射辐射的器件尤其基于如下构思:器件的光学元件(其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.14 DE 102010045316.11.一种发射辐射的器件，具有: -半导体本体(I)，该半导体本体(I)在工作中从辐射出射面(2 )发射电磁辐射， -器件壳体(5),该器件壳体(5)包括半导体本体(I), -光学元件(8)，该光学元件(8)利用接合层(9)材料配合地与器件壳体(5)连接，其中 -接合层(9)具有小于或等于30MPa的弹性模量。2.根据上述权利要求所述的发射辐射的器件，接合层(9)的弹性模量小于或等于IOMPa。3.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中接合层(9)具有小于或等于A90的肖氏硬度。4.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中接合层(9)具有如下材料之一:硅树脂、环氧化物、硅树脂环氧化物混合物、聚氨脂。5.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中接合层(9)具有至少30μπκ优选至少50 μ m的厚度。6.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中光学元件(8)具有大于或等于3500MPa的弹性模量和/或大于或等于D80的肖氏硬度。7.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中光学元件(8)具有如下材料之一:环氧化物、...

【专利技术属性】
技术研发人员：JE佐格，R米勒，R施瓦茨，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：