强磁性材料溅射靶及其制造方法技术

一种强磁性材料溅射靶，其组成为Cr为20摩尔%以下、Pt为5～30摩尔%、SiO2为5～15摩尔%、Sn为0.05～0.60摩尔%、其余为Co，其特征在于，在金属基质（A）中分散的SiO2的粒子（B）中，含有所述Sn。本发明专利技术的目的在于得到可以抑制溅射时导致粉粒产生的氧化物的异常放电的非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶，涉及可以抑制溅射时导致粉粒产生的氧化物的异常放电的非磁性材料粒子分散型。
技术介绍
溅射装置有各种方式，在上述磁记录膜的成膜中，从生产率高的观点考虑，广泛使用具备DC电源的磁控溅射装置。溅射法使用的原理如下:将作为正电极的衬底与作为负电极的靶对置，在惰性气体气氛中，在该衬底与靶之间施加高电压以产生电场。此时，惰性气体电离，形成包含电子和阳离子的等离子体，该等离子体中的阳离子撞击靶(负极)的表面时将构成靶的原子击出，该飞出的原子附着到对置的衬底表面形成膜。通过这样的一系列动作，构成靶的材料在衬底上形成膜。另一方面，查看涉及磁性材料的开发时发现，在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中使用以Co为主要成分的Co-Cr型或Co-Cr-Pt型强磁性合金。另外，在采用近年来已实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，通常使用包含以Co为主要成分的Co-Cr-Pt型强磁性合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.15 JP 2010-2787981.一种强磁性材料溅射靶，其组成为Cr为20摩尔％以下、Pt为5 30摩尔％、SiO2为5 15摩尔％、Sn为0.05 0.60摩尔％、其余为Co，其特征在于，在金属基质(A)中分散的SiO2的粒子(B)中，含有所述Sn。2.按权利要求1所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，除了所述SiO2以外，还含有5 15 摩尔 ％选自 Ti02、Ti203、Cr203、Ta205、Ti509、B203、Co0、Co3O4 的一种以上氧化物，这些氧化物分散在金属基质(A)中，并且这些氧化物中含有Sn。3.按权利要求1或2所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，含有0.5 10摩尔％选自Ru、B、Ta的一种以上元素。4.按权利要求1至3中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，相对密度为97%以上。5.一种强磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，以得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田祐希，高见英生，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，
类型：
国别省市：