磁性化合物及其制造方法技术

本发明专利技术涉及磁性化合物及其制造方法。磁性化合物，其为由式(R1(1‑x)R2x)a(Fe(1‑y)Coy)bTcMd(上式中，R1为选自Sm、Pm、Er、Tm和Yb中的1种以上的元素，R2为选自Zr、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho和Lu中的1种以上的元素，T为选自Ti、V、Mo、Si和W中的1种以上的元素，M为选自不可避免的杂质元素以及Al、Cr、Cu、Ga、Ag和Au中的1种以上的元素，0≤x≤0.7，0≤y≤0.7，4≤a≤20，b＝100‑a‑c‑d，0＜c＜7.7，0≤d≤3)表示的磁性化合物，具有ThMn12型的晶体结构，α‑(Fe,Co)相的体积分数小于12.3％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及各向异性磁场高且饱和磁化高的具有ThMn12型的晶体结构的磁性化合物及其制造方法。
技术介绍
永磁体的应用遍及电子学、信息通信、医疗、机床领域、产业用和汽车用电机等广泛的领域，在对二氧化碳排放量的抑制的要求高涨的期间，由于混合动力汽车的普及、产业领域中的节能、发电效率的提高等，近年来对于更高特性的永磁体开发的期待在高涨。当前，作为高性能磁体席卷市场的Nd-Fe-B系磁体也一直被用于HV/EHV用的驱动电机用磁体。而且，近来，为满足电机的进一步小型化、高输出化(磁体的剩余磁化的增加)，人们正在进行新的永磁体材料的开发。作为对具有超过Nd-Fe-B系磁体的性能的材料的开发之一，正在进行具有ThMn12型晶体结构的稀土-铁系磁性化合物的研究。例如，在J.Appl.Phys.70(10)，6001(1991)中，提出了包含Nd作为稀土元素的具有ThMn12型的晶体结构的氮化磁性组合物。另外，在J.Appl.Phys.63(8)，3702(1988)中，提出了包含Sm作为稀土元素的具有ThMn12型的晶体结构的磁性组合物。
技术实现思路
在迄今为止已知的具有NdFe11TiNx(其本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁性化合物，其为由式(R1(1‑x)R2x)a(Fe(1‑y)Coy)bTcMd表示的磁性化合物，具有ThMn12型的晶体结构，α‑(Fe,Co)相的体积分数小于12.3％，上式中，R1为选自Sm、Pm、Er、Tm和Yb中的1种以上的元素，R2为选自Zr、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho和Lu中的1种以上的元素，T为选自Ti、V、Mo、Si和W中的1种以上的元素，M为选自不可避免的杂质元素以及Al、Cr、Cu、Ga、Ag和Au中的1种以上的元素，0≤x≤0.7，0≤y≤0.7，4≤a≤20，b＝100‑a‑c‑d，0＜c＜7.7，0≤d≤3。

【技术特征摘要】
2015.09.17 JP 2015-1843681.磁性化合物，其为由式(R1(1-x)R2x)a(Fe(1-y)Coy)bTcMd表示的磁性化合物，具有ThMn12型的晶体结构，α-(Fe,Co)相的体积分数小于12.3％，上式中，R1为选自Sm、Pm、Er、Tm和Yb中的1种以上的元素，R2为选自Zr、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho和Lu中的1种以上的元素，T为选自Ti、V、Mo、Si和W中的1种以上的元素，M为选自不可避免的杂质元素以及Al、Cr、Cu、Ga、Ag和Au中的1种以上的元素，0≤x≤0.7，0≤y≤0.7，4≤a≤20，b＝100-a-c-d，0＜c＜7.7，0≤d≤3。2.权利要求1所述的磁性化合物，其中，在将六边形A、B、C定义为A：以稀土原子R1为中心的由Fe(8i)和Fe(8j)位点构成的6元环、B：以Fe(8i)-Fe(8i)哑铃为中心的由Fe(8i)和Fe(8j)位点构成的6元环、C：以Fe(8i)-稀土原子的线上为中心的由Fe(8j)和Fe(8f)位点构成的6元环时，所述ThMn12型的晶体结构具备该六边形A、B和C，六边形A的a轴方向长度为0.612nm以下。3.权利要求1或2所述的磁性化合物，其中，R1为Sm。4.权利要求1～3任一项所述的磁性化合物，其中，R2为Zr。5.权利要求1～4任一项所述的磁性化合物，其中，为0≤x≤0.4。6.权利要求1～5任一项所述的磁性化合物，其中，为4≤a≤15。7.权利要求1～6任一项所述的磁性化合物，其中，为3.8≤c＜...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐久间纪次，矢野正雄，加藤晃，真锅明，铃木俊治，小林久理真，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP