【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电热元件的制作方法的
,具体是。
技术介绍
氮化硅是一种共价键陶瓷,纯Si3N4粉体无法烧结,必须添加少量助烧剂在高温形成液相,进行液相烧结,才能得到性能优异的氮化硅材料。常用的添加剂包括:A1203、MgO、SiO2等金属氧化物,Y203、La203、Ce02等稀土氧化物,以及AIN, Mg3N2, TiN, ZrN等氮化物。高性能氮化硅陶瓷具有绝缘、高强、耐高温、耐氧化、耐热冲击和高导热性等优异的电学、热学和力学性能。氮化硅发热片是一种结合高性能氮化硅陶瓷基体和长寿命大功率的高温金属发热丝的器件。具有体积小,功率大和热效率高等特点,同时也被证明是一种安全可靠的发热方式。直接通电后,表面干点温度可以达到1200摄氏度,工作寿命长达5000小时以上。高温金属发热丝材料包括,钨丝、钥丝以及各种钨钥合金丝等材料。目前,市场的氮化硅发热片材料多存在渗碳的现象,从外观看表面分布有大块黑斑、黑块等现象,色泽不均匀。纯Si3N4致密烧结材料的本色应为灰白色,现有产品大多存在基体颜色发黑,表面均匀或不均匀分布小黑点,更有表面分布有大块黑斑、黑块等现象。这主 ...
【技术保护点】
一种氮化硅发热体的制作方法,其特征在于包括:步骤1、将氮化硅粉料与高温液相助烧剂按重量比0.96:0.04至0.80:0.20置入无水乙醇中混合,混料10?72小时后,经喷雾造粒制成配方料;步骤2、将金属发热丝埋入所述配方料中干压成型,然后通过180?220MPa的冷等静压进一步压制成型,并保压3?10分钟,以制成素坯;所述金属发热丝为钨丝;步骤3、在所述素坯表面均匀涂覆一层氮化硼隔离层后烘干;步骤4、然后进行热压烧结,烧结压力20?30MPa,烧结温度1600?1900℃,保温时间0.5?4小时,以制成毛坯;步骤5、将所述毛坯放入真空气氛炉中,保持1300?1600℃恒温 ...
【技术特征摘要】
1.一种氮化硅发热体的制作方法,其特征在于包括: 步骤1、将氮化硅粉料与高温液相助烧剂按重量比0.96:0.04至0.80:0.20置入无水乙醇中混合,混料10-72小时后,经喷雾造粒制成配方料; 步骤2、将金属发热丝埋入所述配方料中干压成型,然后通过180-220MPa的冷等静压进一步压制成型,并保压3-10分钟,以制成素坯;所述金属发热丝为钨丝; 步骤3、在所述素坯表面均匀涂覆一层氮化硼隔离层后烘干; 步骤4、然后进行热压烧结,烧结压力20-30MPa,烧结温度1600-1900 °C,保温时间0.5-...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯志峰,
申请(专利权)人:江苏华盛精细陶瓷科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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