氮化镓基发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光元件制作方法，更具体地说是一种具有高反射系数电流扩展层的氮化镓基发光二极管及其制作方法。该氮化镓基发光二极管，至少包括：氮化镓基外延层，包括n型层、发光层和p型层；电流扩展层，形成于所述p型层的部分表面上，包括Ag反射层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层覆盖在所述Ag反射层上，表面被氧化形成一层氧化物绝缘层，从而起到阻挡电子扩散和扩展电流的作用；氧化物透明导电膜，覆盖所述电流阻挡层和露出的外延层表面；P、N电极，分别连接所述p型层和n型层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件制作方法，更具体地说是一种具有高反射系数电流扩展层的。
技术介绍
固态发光器件的发光二极管具有低能耗,高寿命,稳定性好,体积小，响应速度快以及发光波长稳定等良好光电特性，被广泛应用于照明、家电、显示屏及指示灯等领域。此类型发光器件在光效、使用寿命等方面均已有可观的进步，有希望成为新一代照明及发光器件主流。近年来，为了尽量避免P电极对LED发光的遮挡和吸收，通常在LED芯片的内部引入电流阻挡层以限制或者大幅减少P电极下方有源层的发光。例如，在P型外延层与P型接触金属层之间插入绝缘材料(如氧化硅、氮化硅等)作为电流阻挡层，其大小和位置与P电极大致相当，这样可以大大改善P电极的遮挡和吸光，一般绝缘材料与GaN粘附性较差，在焊线推拉力作用下，P电极容易从GaN表面脱落，另外阻挡层正下方虽基本无电流直接注入，但在有源层传播的光波导仍会从电流阻挡层散发出来，之后被吸光电极吸收。
技术实现思路
本专利技术公开了一种，其具有高反射系数电流阻挡结构。根据本专利技术的一个方面:氮化镓基发光二极管的制作方法，包括以下步骤:1)提供一氮化镓基外延片，包括η型层、发光层和P型层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
氮化镓基发光二极管的制作方法，包括以下步骤：1）提供一氮化镓基外延片，包括n型层、发光层和p型层；2）在p型层的部分表面上形成Ag反射层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层覆盖在所述Ag反射层上；3）沉积氧化物透明导电层，其覆盖所述电子阻挡层和露出的p型层表面；4）将所述外延片进行退火处理，所述电子阻挡层表面被氧化形成一氧化物绝缘层，从而在所述氧化物透明导电层与p型层之间形成电流扩展层，其包括所述Ag反射层、电子阻挡层和氧化物绝缘层，起到阻挡电子扩散和扩展电流的作用；5）在经过以上处理的外延片上制作P、N电极；6）将所述外延片经研磨减薄并分割成芯粒。

【技术特征摘要】
1.化镓基发光二极管的制作方法，包括以下步骤: 1)提供一氮化镓基外延片，包括η型层、发光层和P型层； 2)在P型层的部分表面上形成Ag反射层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层覆盖在所述Ag反射层上； 3)沉积氧化物透明导电层，其覆盖所述电子阻挡层和露出的P型层表面； 4)将所述外延片进行退火处理，所述电子阻挡层表面被氧化形成一氧化物绝缘层，从而在所述氧化物透明导电层与P型层之间形成电流扩展层，其包括所述Ag反射层、电子阻挡层和氧化物绝缘层，起到阻挡电子扩散和扩展电流的作用； 5)在经过以上处理的外延片上制作P、N电极； 6)将所述外延片经研磨减薄并分割成芯粒。2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于:所述步骤2)中所述电子阻挡层的材料包含Ti元素。3.根据权利要求2所述的氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于:所述电子阻挡层的厚度足以阻挡氧向Ag反射层扩展，并在退火后具备一定的绝缘性能。4.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于:所述电子阻挡层的厚度为500 2000埃。5.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于:在步骤3)中，透明导电膜为含O的薄膜，其退火过...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建健，钟志白，陈顺平，梁兆煊，黄少华，赵志伟，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：